Bravina, S., Cattan, E., Morozovsky, N., & Remiens, D. (2002). Thin film PZT-Si structure with quadrant-diagonal electrode system as an element of position sensitive pyroelectric detector. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Bravina, S.L, E. Cattan, N.V Morozovsky, та D. Remiens. Thin Film PZT-Si Structure with Quadrant-diagonal Electrode System as an Element of Position Sensitive Pyroelectric Detector. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2002.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Bravina, S.L, et al. Thin Film PZT-Si Structure with Quadrant-diagonal Electrode System as an Element of Position Sensitive Pyroelectric Detector. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2002.