Voznyy, M., Gorley, P., & Schenderovskyy, V. (2000). Diffusion model of defect formation in silicon under light ion implantation. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Voznyy, M.V, P.M Gorley, та V.A Schenderovskyy. Diffusion Model of Defect Formation in Silicon Under Light Ion Implantation. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2000.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Voznyy, M.V, et al. Diffusion Model of Defect Formation in Silicon Under Light Ion Implantation. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2000.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.