Voznyy, M., Gorley, P., & Schenderovskyy, V. (2000). Diffusion model of defect formation in silicon under light ion implantation. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago Style (17th ed.) CitationVoznyy, M.V, P.M Gorley, and V.A Schenderovskyy. Diffusion Model of Defect Formation in Silicon Under Light Ion Implantation. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2000.
MLA (8th ed.) CitationVoznyy, M.V, et al. Diffusion Model of Defect Formation in Silicon Under Light Ion Implantation. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2000.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.