Lashkarev, G., Radchenko, M., Slynko, E., Vodopiyanov, V., Asotsky, V., Kaminsky, V., . . . Rengevich, E. (2000). Hot wall growth and properties of lead telluride films doped by germanium and gallium. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Lashkarev, G.V, M.V Radchenko, E.I Slynko, V.N Vodopiyanov, V.V Asotsky, V.M Kaminsky, G.V Beketov, та E.V Rengevich. Hot Wall Growth and Properties of Lead Telluride Films Doped by Germanium and Gallium. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2000.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Lashkarev, G.V, et al. Hot Wall Growth and Properties of Lead Telluride Films Doped by Germanium and Gallium. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2000.