Lashkarev, G., Radchenko, M., Slynko, E., Vodopiyanov, V., Asotsky, V., Kaminsky, V., . . . Rengevich, E. (2000). Hot wall growth and properties of lead telluride films doped by germanium and gallium. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Lashkarev, G.V, M.V Radchenko, E.I Slynko, V.N Vodopiyanov, V.V Asotsky, V.M Kaminsky, G.V Beketov, und E.V Rengevich. Hot Wall Growth and Properties of Lead Telluride Films Doped by Germanium and Gallium. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2000.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Lashkarev, G.V, et al. Hot Wall Growth and Properties of Lead Telluride Films Doped by Germanium and Gallium. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2000.