APA (7th ed.) Citation

Lashkarev, G., Radchenko, M., Slynko, E., Vodopiyanov, V., Asotsky, V., Kaminsky, V., . . . Rengevich, E. (2000). Hot wall growth and properties of lead telluride films doped by germanium and gallium. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Lashkarev, G.V, M.V Radchenko, E.I Slynko, V.N Vodopiyanov, V.V Asotsky, V.M Kaminsky, G.V Beketov, and E.V Rengevich. Hot Wall Growth and Properties of Lead Telluride Films Doped by Germanium and Gallium. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2000.

MLA (8th ed.) Citation

Lashkarev, G.V, et al. Hot Wall Growth and Properties of Lead Telluride Films Doped by Germanium and Gallium. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2000.