Стиль цитування APA (7-ме видання)

Semenova, G., Venger, E., Korsunska, N., Klad’ko, V., Borkovska, L., Semtsiv, M., . . . Sadofyev, Y. (2002). Defects and radiation-enhanced defect reactions in ZnSe/(001)GaAs MBE layers. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Semenova, G.N, E.F Venger, N.O Korsunska, V.P Klad’ko, L.V Borkovska, M.P Semtsiv, M.B Sharibaev, V.I Kushnirenko, та Yu.G Sadofyev. Defects and Radiation-enhanced Defect Reactions in ZnSe/(001)GaAs MBE Layers. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2002.

Стиль цитування MLA (8-ме видання)

Semenova, G.N, et al. Defects and Radiation-enhanced Defect Reactions in ZnSe/(001)GaAs MBE Layers. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2002.