Normuradov, M., Umirzakov, B., Tashmukhamedova, D., & Tashatov, A. (2002). Influence of ion implantation and annealing on composition and structure of GaAs surface. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Normuradov, M.T, B.E Umirzakov, D.A Tashmukhamedova, та A.K Tashatov. Influence of Ion Implantation and Annealing on Composition and Structure of GaAs Surface. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2002.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Normuradov, M.T, et al. Influence of Ion Implantation and Annealing on Composition and Structure of GaAs Surface. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2002.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.