Seitmuratov, M., Klad'ko, V., Gudymenko, O., Datsenko, L., & Prokopenko, I. (2002). Effect of neutron irradiation and doping level on defect structure formation in gallium arsenide crystals. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Seitmuratov, M.S, V.P Klad'ko, O.I Gudymenko, L.I Datsenko, та I.V Prokopenko. Effect of Neutron Irradiation and Doping Level on Defect Structure Formation in Gallium Arsenide Crystals. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2002.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Seitmuratov, M.S, et al. Effect of Neutron Irradiation and Doping Level on Defect Structure Formation in Gallium Arsenide Crystals. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2002.