High-efficient up-conversion of photoluminescence in CdSe quantum dots grown in ZnSe matrix
The intensive up-conversion photoluminescence at low temperatures in CdSe/ZnSe structures with single CdSe inserts of the nominal thickness 1.5 monolayer was observed. Excitation power dependensies show a nearly quadratic character up-converted photoluminescence signal from CdSe quantum dots. Up-con...
Gespeichert in:
| Datum: | 2002 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121339 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | High-efficient up-conversion of photoluminescence in CdSe quantum dots grown in ZnSe matrix / V.V. Strelchuk, M.Ya. Valakh, M.V. Vuychik, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, T.V. Shubina // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 4. — С. 343-346. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |