Shutov, S., & Baganov, Y. (2006). Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Shutov, S.V, und Ye.A Baganov. Simulation of Strain Fields in GaSb/InAs Heteroepitaxial System. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2006.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Shutov, S.V, und Ye.A Baganov. Simulation of Strain Fields in GaSb/InAs Heteroepitaxial System. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2006.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.