Investigation of growing the Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe solid solutions by modified zone melting method

Investigation of growing the Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe solid solutions by modified zone melting method

This paper presents research of the process for growing the crystals of semiconductor solid solutions Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe under conditions of a modified zone melting.

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2005
Hauptverfasser: Gorbatyuk, I.N., Zhikharevich, V.V., Ostapov, S.E.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Schriftenreihe:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Online Zugang:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121548
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Investigation of growing the Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe solid solutions by modified zone melting method / I.N. Gorbatyuk, V.V. Zhikharevich, S.E. Ostapov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 4. — С. 22-25. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Ähnliche Einträge