Arsentyev, I., Bobyl, A., Tarasov, I., Shishkov, M., Boltovets, N., Ivanov, V., . . . Milenin, V. (2005). New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Arsentyev, I.N, et al. New Technological Possibilities to Prepare InP Epitaxial Layers, as Well as Ohmic and Barrier Contacts to Them, and the Properties of Microwave Diodes Made on Their Basis. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2005.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Arsentyev, I.N, et al. New Technological Possibilities to Prepare InP Epitaxial Layers, as Well as Ohmic and Barrier Contacts to Them, and the Properties of Microwave Diodes Made on Their Basis. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2005.