Shutov, S., & Baganov, Y. (2006). Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Shutov, S.V, та Ye.A Baganov. Elastic Strains Influence During GaSb/InAs Heteroepitaxy from Liquid Phase. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2006.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Shutov, S.V, та Ye.A Baganov. Elastic Strains Influence During GaSb/InAs Heteroepitaxy from Liquid Phase. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2006.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.