Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
Influence of strains that appear in GaSb/InAs heterosystem on heteroepitaxial layer planarity is considered. It is shown that minimal supercooling of solution-melt at the saturation temperature of gallium antimonide in gallium melt 450 ºC is 7.8 ºС for [111] and 5.8 ºС for [100] growth directions. C...
Gespeichert in:
Datum: | 2006 |
---|---|
Hauptverfasser: | , |
Format: | Artikel |
Sprache: | English |
Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
Schriftenreihe: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121579 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase / S.V. Shutov, Ye.A. Baganov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 1. — С. 84-87. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |