Denbnovetsky, S., & Slobodyan, N. (2006). Simulation of radiation characteristics of pulse X-ray devices for non-destructive testing the semiconductor materials. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Denbnovetsky, S.V, und N.V Slobodyan. Simulation of Radiation Characteristics of Pulse X-ray Devices for Non-destructive Testing the Semiconductor Materials. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2006.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Denbnovetsky, S.V, und N.V Slobodyan. Simulation of Radiation Characteristics of Pulse X-ray Devices for Non-destructive Testing the Semiconductor Materials. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2006.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.