Ponomaryov, S., Yukhymchuk, V., & Valakh, M. (2016). Drift correction of the analyzed area during the study of the lateral elemental composition distribution in single semiconductor nanostructures by scanning Auger microscopy. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Ponomaryov, S.S, V.O Yukhymchuk, та M.Ya Valakh. Drift Correction of the Analyzed Area During the Study of the Lateral Elemental Composition Distribution in Single Semiconductor Nanostructures by Scanning Auger Microscopy. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2016.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Ponomaryov, S.S, et al. Drift Correction of the Analyzed Area During the Study of the Lateral Elemental Composition Distribution in Single Semiconductor Nanostructures by Scanning Auger Microscopy. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2016.