Ponomaryov, S., Yukhymchuk, V., & Valakh, M. (2016). Drift correction of the analyzed area during the study of the lateral elemental composition distribution in single semiconductor nanostructures by scanning Auger microscopy. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Ponomaryov, S.S, V.O Yukhymchuk, und M.Ya Valakh. Drift Correction of the Analyzed Area During the Study of the Lateral Elemental Composition Distribution in Single Semiconductor Nanostructures by Scanning Auger Microscopy. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2016.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Ponomaryov, S.S, et al. Drift Correction of the Analyzed Area During the Study of the Lateral Elemental Composition Distribution in Single Semiconductor Nanostructures by Scanning Auger Microscopy. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2016.