Низкочастотные фононы в микроконтактном спектре MgB₂

Методом микроконтактной спектроскопии исследованы вторые производные вольт-амперных характеристик гетероконтактов между пленкой MgB₂ и контрэлектродами чистых металлов (Cu, Ag, Au, Be). Микроконтактные спектры изучали в нормальном (T ≥ Tc) и сверхпроводящем (T < Tc) состоянии вдоль направлени...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2005
Main Authors: Фисун, В.В., Трипутень, Л.Ю., Янсон, И.К.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2005
Series:Физика низких температур
Subjects:
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121715
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Низкочастотные фононы в микроконтактном спектре MgB₂ / В.В. Фисун, Л.Ю. Трипутень, И.К. Янсон // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 10. — С. 1104-1109. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Методом микроконтактной спектроскопии исследованы вторые производные вольт-амперных характеристик гетероконтактов между пленкой MgB₂ и контрэлектродами чистых металлов (Cu, Ag, Au, Be). Микроконтактные спектры изучали в нормальном (T ≥ Tc) и сверхпроводящем (T < Tc) состоянии вдоль направления оси с. В нормальном состоянии на спектрах наблюдается особенность в интервале энергий ~ 20–30 мВ в виде широкого пика или размытого излома. Сделано предположение, что низкочастотные моды фононного спектра также ответственны за высокое значение температуры сверхпроводящего перехода в MgB₂. В сверхпроводящем состоянии спектральные особенности приобретают N-образный вид в области энергий низкочастотного пика.