Низкочастотные фононы в микроконтактном спектре MgB₂ - Фисун, В.В.; Трипутень, Л.Ю.; Янсон, И.К. (Физика низких температур, 2005)
Методом микроконтактной спектроскопии исследованы вторые производные вольт-амперных характеристик гетероконтактов между пленкой MgB₂ и контрэлектродами чистых металлов (Cu, Ag, Au, Be). Микроконтактные спектры изучали в нормальном (T ≥ Tc) и сверхпроводящем (T < Tc) состоянии вдоль направления оси с. В нормальном состоянии на спектрах наблюдается особенность в интервале энергий ~ 20–30 мВ в виде широкого пика или размытого излома. Сделано предположение, что низкочастотные моды фононного спектра также ответственны за высокое значение температуры сверхпроводящего перехода в MgB₂. В сверхпроводящем состоянии спектральные особенности приобретают N-образный вид в области энергий низкочастотного пика.