Жураев, Н., Халилов, М., Отажонов, С., & Алимов, Н. (2017). Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями. Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Жураев, Н, М Халилов, С Отажонов, та Н Алимов. Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах P-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями. Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України, 2017.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Жураев, Н, et al. Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах P-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями. Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України, 2017.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.