Стемпицкий, В., & Ха, Д. Д. (2017). Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Стемпицкий, В.Р, und Дао Динь Ха. Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2017.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Стемпицкий, В.Р, und Дао Динь Ха. Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2017.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.