Стемпицкий, В., & Ха, Д. Д. (2017). Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Стемпицкий, В.Р, та Дао Динь Ха. Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2017.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Стемпицкий, В.Р, та Дао Динь Ха. Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2017.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.