Установка ремонта топологии на фотошаблонах ЭМ-5001АМ
Предназначена для ремонта и устранения дефектов фотошаблонов, используемых в производстве ИС, ГИС и полупроводниковых приборов. Устранение непрозрачных дефектов осуществляется путем воздействия сфокусированного лазерного излучения на маскирующее покрытие фотошаблона, устранение прозрачных дефектов —...
Збережено в:
| Дата: | 1999 |
|---|---|
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122692 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Установка ремонта топологии на фотошаблонах ЭМ-5001АМ // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 1. — С. 38. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-122692 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 1999, ¹ 1
38
ÊÎÌÏÎÍÅÍÒÛ ÄËß ÝËÅÊÒÐÎÍÍÎÉ ÀÏÏÀÐÀÒÓÐÛ
ñêîëüêèõ ÷àñîâ. Ïîëó÷åííûå ðåçóëüòàòû ñòàáèëüíû
âî âðåìåíè. Áîëåå òîãî, «ïëûâóùèå» ïàðàìåòðû
íåêîòîðûõ ôîòîäèîäîâ ñòàáèëèçèðîâàëèñü ïîñëå
îáðàáîòêè.
Îïèñàííûé ìåòîä êîððåêöèè òåìíîâîãî òîêà áûë
ïðèìåíåí ê p�i�n-ôîòîäèîäàì íà îñíîâå êðåì-
íèÿ. Òåìíîâîé òîê óìåíüøèëñÿ â ïåðâûå íåñêîëüêî
ìèíóò îáðàáîòêè. Îäíàêî ñòåïåíü ñíèæåíèÿ òîêà
çàâèñèò îò ðàáî÷åãî íàïðÿæåíèÿ. Ïðèáîðû, ðàáîòà-
þùèå ïðè íàïðÿæåíèè ñâûøå 100 Â, ïîêàçàëè óìåíü-
øåíèå òåìíîâîãî òîêà íå áîëåå ÷åì íà 20%, à ðàáî-
òàþùèå ïðè íàïðÿæåíèè 30�50 Â � äî 30%. Äî-
ñòèãíóòûå ïàðàìåòðû ñòàáèëüíû âî âðåìåíè. Î÷å-
âèäíî, ÷òî ñ ïîâûøåíèåì ðàáî÷åãî íàïðÿæåíèÿ
ñòðóêòóðà êðèñòàëëà ôîòîäèîäà íà îñíîâå êðåìíèÿ
ñòàíîâèòñÿ ìåíåå ïîäâåðæåííîé âëèÿíèþ òîðñèîí-
íîãî ïîëÿ ñ ïðèâåäåííûìè âûøå ïàðàìåòðàìè.
Ðàçðàáîòàííàÿ êîíñòðóêöèÿ ð�i�n-ôîòîäèîäîâ õà-
ðàêòåðèçóåòñÿ ïîâûøåííîé òåõíîëîãè÷íîñòüþ èçãîòîâ-
ëåíèÿ ñ îäíîâðåìåííûì óëó÷øåíèåì ïàðàìåòðîâ, â ÷àñò-
íîñòè, òåìíîâîãî òîêà è ïðîöåíòà âûõîäà ãîäíûõ. Êðî-
ìå òîãî, ýòè ôîòîäèîäû õàðàêòåðèçóþòñÿ áîëüøåé íà-
äåæíîñòüþ è óñòîé÷èâîñòüþ ïðè ðàáîòå â óñëîâèÿõ ïî-
âûøåííîé ðàáî÷åé òåìïåðàòóðû.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Çè. Ñ. Ôèçèêà ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ïðèáîðîâ:
Ò. 2.� Ì. : Ìèð, 1984.
2. Àùåóëîâ À. À., Ãîäîâàíþê Â. Ì., Äîáðîâîëüñü-
êèé Þ. Ã. Òåõíîëîãi÷íèé ìåòîä çìåíøåííÿ òåìíîâîãî
ñòðóìó êðåìíiºâèõ p�i�n-ôîòîäiîäiâ // Íàóêîâèé âiñ-
íèê ×åðíiâåöüêîãî óíiâåðñèòåòó. Ôiçèêà.� 1998.�
Âèï. 32.� Ñ. 136.
3. Ðþõòèí Â. Â., Òîâñòþê Ê. Ä., Äàíèëåâè÷ Î. È.
Ãåíåçèñ äèñëîêàöèé â êðåìíèåâûõ ôîòîäèîäàõ // Îï-
òîýëåêòðîíèêà è åå ïðèìåíåíèå.� 1985.� Âûï.7.�
Ñ. 21�24.
4. Ãîäîâàíþê Â. Ì., Äîáðîâîëüñüêèé Þ. Ã., Îìåëü-
ÿí÷óê Â. Ï. Äîñë³äæåííÿ êðåìí³ºâîãî p�i�n-ôîòîä³îäó
ï³äâèùåíî¿ íàä³éíîñò³ // Íàóêîâèé â³ñíèê ×åðí³âåöüêîãî
óí³âåðñèòåòó. Ô³çèêà.� 1998.� Âèï. 29.� Ñ. 170�172.
5. Ascheulov À. À., Dobrovolskiy U. G., Godovanjuk
V. N. Optimization of epitaxial structures parameters for
radiational stability of photodiodes, on their base // Phy-
sical problems in material science of semiconductors. Book
of abstracts: Chernovtsy.� 1997.� P. 317.
6. Ïàò. 2 095 897 Âåëèêîáðèòàíèè. Semiconductor
manufacture / T. Smith.� Îïóáë. â ÈÇÐ, 1981, ¹ 4.
7. À. ñ. 1720438 ÑÑÑÐ. Ñïîñîá ïîëó÷åíèÿ òîïîëîãè-
÷åñêîãî ðèñóíêà íà îáðàòíîé ñòîðîíå ïîëóïðîâîäíèêî-
âîé ïëàñòèíû, ñîâìåùåííîãî ñ ðèñóíêîì íà åå ëèöåâîé
ñòîðîíå / Þ. Ã. Äîáðîâîëüñêèé.� Îïóáë â Á. È., 1990,
¹ 7.
8. Ðîìàíþê È.Ñ. Î âîçìîæíîñòè ïîëó÷åíèÿ ìî-
íîêðèñòàëëè÷åñêîãî òåëëóðèäà âèñìóòà / Ýëåêòðîíèêà
è ñâÿçü.� Êèåâ : ÊÏÈ.� 1998.� Âûï.4, ÷. 3.� Ñ. 442.
9. Àùåóëîâ À. À., Äîáðîâîëüñüêèé Þ.Ã., Ðîìàíþê
I.Ñ. Äîñëiäæåííÿ âïëèâó ïåâíèõ êîìáiíàöié åëåêòðè÷-
íîãî òà ìàãíiòíîãî ïîëiâ íà âëàñòèâîñòi íàïiâïðîâiäíè-
êîâèõ ïðèëàäiâ // Íàóêîâèé âiñíèê ×åðíiâåöüêîãî óíi-
âåðñèòåòó. Ôiçèêà.� 1998.� Âèï. 29.� Ñ. 174.
10. Àêèìîâ À. Å., Áîé÷óê Â. Â., Òàðàñåíêî Â.ß.
Äàëüíîäåéñòâóþùèå ñïèíàðíûå ïîëÿ // Ôèçè÷åñêèå ìî-
äåëè.� Êèåâ : ÈÏÌ, 1989. (Ïðåïðèíò ¹ 4.)
153×153 ìì
∅2...25 ìêì
îò 1×1 äî 25×25 ìêì
3×3" (76×76 ìì)
4×4" (102×102 ìì)
5×5" (127×127 ìì)
6×6" (153×153 ìì)
7×7" (178×178 ìì)
1440×1320×1400 ìì, 1300 êã
684×632×1625 ìì, 250 êã
570×800×1800 ìì, 250 êã
ÊÁÒÝÌ-ÎÌÎ
Í À Ó × ÍÎ-ÏÐÎÌÛØËÅÍÍÛ Å Ö Å Í Ò Ð Û Ñ Í Ã
ÓÑÒÀÍÎÂÊÀ ÐÅÌÎÍÒÀ ÒÎÏÎËÎÃÈÈ ÍÀ ÔÎÒÎØÀÁËÎÍÀÕ ÝÌ-5001ÀÌ
Ìàêñèìàëüíûå ðàçìåðû ðà-
áî÷åãî ïîëÿ
Ðàçìåðû óñòðàíÿåìûõ äå-
ôåêòîâ
ïðîçðà÷íûõ
íåïðîçðà÷íûõ
Òèïîðàçìåðû øàáëîíîâ
Ãàáàðèòíûå ðàçìåðû, ìàññà
îïòèêî-ìåõàíè÷åñêîå óñ-
òðîéñòâî
ñòîéêà ïèòàíèÿ ëàçåðîâ
ñòîéêà óïðàâëåíèÿ
Ïðåäíàçíà÷åíà äëÿ ðåìîíòà è óñòðàíåíèÿ äåôåêòîâ ôîòîøàáëîíîâ, èñïîëüçóåìûõ â ïðîèçâîäñòâå ÈÑ, ÃÈÑ
è ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ïðèáîðîâ.
Óñòðàíåíèå íåïðîçðà÷íûõ äåôåêòîâ îñóùåñòâëÿåòñÿ ïóòåì âîçäåéñòâèÿ ñôîêóñèðîâàííîãî ëàçåðíîãî èçëó-
÷åíèÿ íà ìàñêèðóþùåå ïîêðûòèå ôîòîøàáëîíà, óñòðàíåíèå ïðîçðà÷íûõ äåôåêòîâ � ïóòåì ëàçåðíî-ñòèìóëèðî-
âàííîãî îñàæäåíèÿ ìåòàëëîîðãàíè÷åñêîãî ñîåäèíåíèÿ.
ÃÍÏÏ «ÊÁÒÝÌ-ÎÌλ
Ðåñïóáëèêà Áåëàðóñü, 220763, ã. Ìèíñê, ïð. Ïàðòèçàíñêèé, 2
|
| spelling |
irk-123456789-1226922017-07-18T03:03:21Z Установка ремонта топологии на фотошаблонах ЭМ-5001АМ Научно-промышленные центры СНГ Предназначена для ремонта и устранения дефектов фотошаблонов, используемых в производстве ИС, ГИС и полупроводниковых приборов. Устранение непрозрачных дефектов осуществляется путем воздействия сфокусированного лазерного излучения на маскирующее покрытие фотошаблона, устранение прозрачных дефектов — путем лазерно-стимулированного осаждения металлоорганического соединения. 1999 Article Установка ремонта топологии на фотошаблонах ЭМ-5001АМ // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 1. — С. 38. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122692 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Научно-промышленные центры СНГ Научно-промышленные центры СНГ |
| spellingShingle |
Научно-промышленные центры СНГ Научно-промышленные центры СНГ Установка ремонта топологии на фотошаблонах ЭМ-5001АМ Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Предназначена для ремонта и устранения дефектов фотошаблонов, используемых в производстве ИС, ГИС и полупроводниковых приборов. Устранение непрозрачных дефектов осуществляется путем воздействия сфокусированного лазерного излучения на маскирующее покрытие фотошаблона, устранение прозрачных дефектов — путем лазерно-стимулированного осаждения металлоорганического соединения. |
| format |
Article |
| title |
Установка ремонта топологии на фотошаблонах ЭМ-5001АМ |
| title_short |
Установка ремонта топологии на фотошаблонах ЭМ-5001АМ |
| title_full |
Установка ремонта топологии на фотошаблонах ЭМ-5001АМ |
| title_fullStr |
Установка ремонта топологии на фотошаблонах ЭМ-5001АМ |
| title_full_unstemmed |
Установка ремонта топологии на фотошаблонах ЭМ-5001АМ |
| title_sort |
установка ремонта топологии на фотошаблонах эм-5001ам |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
1999 |
| topic_facet |
Научно-промышленные центры СНГ |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122692 |
| citation_txt |
Установка ремонта топологии на фотошаблонах ЭМ-5001АМ // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 1. — С. 38. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| first_indexed |
2025-07-08T22:11:50Z |
| last_indexed |
2025-07-08T22:11:50Z |
| _version_ |
1837119118038269952 |