Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
У зразках Cz−Si n-типу, легованих ізовалентною домішкою германію, виявлено суттєве зниження ефективності утворення термодонорів у процесі термовідпалів, а також встановлено підвищення радіаційної стійкості приблизно на порядок при опроміненні nSi ⟨Ge⟩ швидкими нейтронами реактора....
Saved in:
Date: | 2016 |
---|---|
Main Authors: | Гайдар, Г.П., Баранський, П.І. |
Format: | Article |
Language: | Ukrainian |
Published: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2016
|
Series: | Доповіді НАН України |
Subjects: | |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/125716 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Cite this: | Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2016. — № 7. — С. 62-69. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів
by: Гайдар, Г.П.
Published: (2018) -
Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n–Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації
by: Гайдар, Г.П., et al.
Published: (2015) -
Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si
by: Баранський, П.І., et al.
Published: (2014) -
Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках
by: Баранський, П.І., et al.
Published: (2012) -
До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
by: Гайдар, Г.П.
Published: (2019)