Закономірності формування структури керамічних матеріалів на основі AlN–SiC - Пріхна, Т.О.; Сербенюк, Т.Б.; Свердун, В.Б.; Часник, В.І.; Карпець, М.В.; Басюк, Т.В.; Делліх, Я. (Сверхтвердые материалы, 2015)
Методом вільного спікання одержано композиційні матеріали на основі AlN–SiC. Встановлено, що при формуванні структури AlN–SiC–Y₃Al₅O₁₂ алюмо-ітрієвий гранат розміщується по границям зерен SiC і AlN, перешкоджаючи взаємній розчинності AlN–SiC. Визначено, що збільшення кількості SiC від 20 до 50 % (за масою) приводить до зміни параметрів а (від 0,49821 до 0,49837 нм) і с (від 0,5046 до 0,498 нм) кристалічної ґратки AlN та до зростання поглинаючої здатності композита від 8,8 до 31,4 дБ/см (на частотах 9,5–10,5 ГГц).