Слабая локализация в многослойных структурах и сверхрешетках
Исследовано явление слабой локализации в квазидвумерной неупорядоченной многослойной структуре в поперечном магнитном поле. Сделано предположение, что когерентное туннелирование электронов между слоями настолько слабое, что сверхрешеточные минизоны не образуются, а основной вклад в вероятности перех...
Saved in:
| Date: | 2007 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Series: | Физика низких температур |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127534 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Слабая локализация в многослойных структурах и сверхрешетках / С.Г. Новокшонов // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 174-181 — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Исследовано явление слабой локализации в квазидвумерной неупорядоченной многослойной структуре в поперечном магнитном поле. Сделано предположение, что когерентное туннелирование электронов между слоями настолько слабое, что сверхрешеточные минизоны не образуются, а основной вклад в вероятности переходов электронов между слоями вносит их
рассеяние в случайном поле примесей. Получены аналитические выражения для интерференционных поправок к продольному сопротивлению системы, содержащей произвольное конечное количество слоев, в случае изолирующих краевых условий. Показано, что рассеяние электронов между слоями оказывает пренебрежимо малое влияние на диффузионный
магнитотранспорт, но заметно уменьшает эффект слабой локализации, играя роль дополнительного механизма сбоя фазы. Проанализировано влияние краевых условий на эффект слабой
локализации в многослойной структуре в зависимости от количества слоев. Полученные результаты хорошо описывают отрицательное магнитосопротивление в естественных сверхрешетках Nd₁₋xCexCuO₄ выше критической температуры. |
|---|