Фононный перенос энергии в наноструктурах, содержащих два металлических слоя
Рассмотрен режим стационарного нагрева системы, состоящей из двух металлических слоев М₁ и М₂, разделенных диэлектрической прослойкой I. Считается, что в слоях поглощается мощность W₁ и W₂, а массивная диэлектрическая подложка, на которой расположена M₁/I/M₂-система, является термостатом. На осно...
Gespeichert in:
| Datum: | 2015 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2015
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127963 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Фононный перенос энергии в наноструктурах, содержащих два металлических слоя / А.И. Безуглый // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 8. — С. 798–805. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Рассмотрен режим стационарного нагрева системы, состоящей из двух металлических слоев М₁ и М₂,
разделенных диэлектрической прослойкой I. Считается, что в слоях поглощается мощность W₁ и W₂, а
массивная диэлектрическая подложка, на которой расположена M₁/I/M₂-система, является термостатом.
На основании кинетического уравнения для фононной функции распределения проанализирован фононный перенос тепла в M₁/I/M₂-системе и найдена зависимость электронных температур слоев, T₁ и T₂, от
W₁ и W₂. Предельные случаи толстых и тонких слоев рассмотрены в реальной экспериментальной ситуации, когда один из слоев нагревается, а другой слой служит термометром. Проведено сравнение результатов теории с экспериментом. |
|---|