Электронный топологический переход 3½ рода в бериллии
Проведен анализ известных из литературы экспериментальных данных по температурной зависимости магнитной восприимчивости бериллия. Показано, что эта зависимость может быть объяснена, если учесть, что в бериллии вблизи уровня Ферми имеется точка электронного топологического перехода 3½ рода....
Збережено в:
Дата: | 2015 |
---|---|
Автори: | Микитик, Г.П., Шарлай, Ю.В. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2015
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128290 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Электронный топологический переход 3½ рода в бериллии / Г.П. Микитик, Ю.В. Шарлай // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 12. — С. 1276–1282. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Аномалия магнитной восприимчивости в виде ступеньки в кристаллах с вырожденными электронными энергетическими зонами
за авторством: Микитик, Г.П.
Опубліковано: (2007) -
Электронный механизм структурных фазовых переходов в арсениде марганца
за авторством: Вальков, В.И., та інші
Опубліковано: (2004) -
Электронный парамагнитный резонанс в порошковых образцах металлоорганических соединений меди
за авторством: Кравчина, О.В., та інші
Опубліковано: (2004) -
Структурный переход, индуцируемый магнитным полем в кристалле с сильной анизотропией g-тензора редкоземельных ионов
за авторством: Переверзев, Ю.В.
Опубліковано: (1996) -
Изоструктурный магнитный фазовый переход и магнитокалорический эффект в изинговском антиферромагнетике
за авторством: Лаванов, Г.Ю., та інші
Опубліковано: (2014)