Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs
Рассмотрен механизм ориентации двухслойных классических вигнеровских кристаллов в пьезоэлектрической среде. Для системы GaAs рассчитана поправка к электростатическому взаимодействию между электронами, определяемая пьезоэлектрическим эффектом. Показано, что учет такой поправки приводит к зави...
Gespeichert in:
| Datum: | 2001 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2001
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128594 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs / Д.В. Филь // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 5. — С. 519-522. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Рассмотрен механизм ориентации двухслойных
классических вигнеровских кристаллов в пьезоэлектрической среде. Для системы GaAs рассчитана поправка к электростатическому взаимодействию
между электронами, определяемая пьезоэлектрическим эффектом. Показано, что учет такой поправки приводит к зависимости полной энергии
электронного кристалла от его ориентации относительно кристаллографических осей матрицы окружения. Получено обобщение метода Эвальда для
расчета анизотропного взаимодействия между электронами в вигнеровском кристалле. С использованием этого метода рассчитана энергия
двухслойных вигнеровских кристаллов в электронных слоях, параллельных кристаллографическим плоскостям (001), (0-11), (111), в зависимости
от их ориентации и расстояния между слоями и найдена наиболее энергетически выгодная ориентация для всех типов электронных решеток в
двухслойной системе. Показано, что в двухслойном вигнеровском кристалле фазовые переходы между структурами с различной симметрией решетки
могут сопровождаться изменением его ориентации. |
|---|