Low temperature electron transport on semiconductor surfaces
The low temperature electron transport on semiconductor surfaces has been studied using an ultra high vacuum, variable temperature Scanning Tunneling Microscope (STM). The STM I(V) spectroscopy recorded at various temperatures has enabled to investigate the temperature dependence (300 K to 35 K) of...
Gespeichert in:
| Datum: | 2003 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2003
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128815 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Low temperature electron transport on semiconductor surfaces / M. Lastapis, D. Riedel, A. Mayne, K. Bobrov, G. Dujardin // Физика низких температур. — 2003. — Т. 29, № 3. — С. 263-269. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |