Экситонная люминесценция при дрейфе избыточных электронов через жидкие и твердые инертные газы

Показано, что возбуждение электpонных состояний является источником основных энергетических потерь избыточных электpонов при их дрейфе в умеренных (≥10³ В/см) электpических полях через конденсированные тяжелые благородные газы (Rg). Эти потери, наряду с рассеянием на резонансах метастабильных отрица...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2001
Main Authors: Гордон, Е.Б., Шестаков, А.Ф.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2001
Series:Физика низких температур
Subjects:
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129023
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:кситонная люминесценция при дрейфе избыточных электронов через жидкие и твердые инертные газы / Е.Б. Гордон, А.Ф. Шестаков // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 9-10. — С. 1192-1201. — Бібліогр.: 26 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Показано, что возбуждение электpонных состояний является источником основных энергетических потерь избыточных электpонов при их дрейфе в умеренных (≥10³ В/см) электpических полях через конденсированные тяжелые благородные газы (Rg). Эти потери, наряду с рассеянием на резонансах метастабильных отрицательных ионов (Rg*)¯, определяют зависимость средней энергии электpонов и их дрейфовой скорости vd от напряженности поля Е как в конденсированных Rg, так и в плотных газах. В частности, объяснен факт постоянства vd при больших Е и трансформация спектра электролюминесценции при изменении плотности тяжелых частиц и их темпеpатуpы. Таким образом, предсказана возможность эффективного возбуждения локализованных экситонов в объеме кpисталлических и жидких Xe, Kr и Ar с выходом около 10² экситонов (и квантов УФ излучения) на один электpон.