Зарядовое упорядочение в квазидвумерных ВТСП
Для квазидвумерных ВТСП обсуждается гипотеза о флуктуационной природе полупроводникового хода сопротивления rc(T), обусловленной зарядовым упорядочением и сверхпроводящим переходом. При T > T* (T*-темпеpатуpа заpядового упоpядочения) - это флуктуации, предшествующие зарядовому упорядочению. При T...
Gespeichert in:
Datum: | 2000 |
---|---|
1. Verfasser: | Сергеева, Г.Г. |
Format: | Artikel |
Sprache: | Russian |
Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2000
|
Schriftenreihe: | Физика низких температур |
Schlagworte: | |
Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129067 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Зарядовое упорядочение в квазидвумерных ВТСП / Г.Г. Сергеева // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 5. — С. 453-456. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
О двумерном характере сверхпроводящего перехода в недостаточно допированных ВТСП
von: Сергеева, Г.Г.
Veröffentlicht: (2001) -
О квантовой природе носителей заряда в псевдощелевом состоянии недостаточно допированных купратных ВТСП
von: Сергеева, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Подавление сверхпроводимости магнитным полем в слоистых ВТСП материалах
von: Варюхин, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (1998) -
Сверхпроводимость в квазидвумерных неадиабатических системах с произвольной плотностью носителей заряда при T = 0
von: Палистрант, М.Е.
Veröffentlicht: (2003) -
Нелинейные СВЧ свойства эпитаксиальных пленок ВТСП
von: Мелков, Г.А., et al.
Veröffentlicht: (1997)