Температура сверхпроводящего перехода и коэффициент изотопического эффекта в сверхпроводниках с малыми значениями энергии Ферми
Исследована сверхпроводимость в системах с переменной плотностью носителей заряда, сильными электронными корреляциями (путем учета влияния этих корреляций на электрон-фононное взаимодействие) и малыми энергиями Ферми. Последнее обстоятельство приводит к нарушению теоремы Мигдала и к необходимости уч...
Gespeichert in:
| Datum: | 2000 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2000
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129080 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Температура сверхпроводящего перехода и коэффициент изотопического эффекта в сверхпроводниках с малыми значениями энергии Ферми / М.Е. Палистрант // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 6. — С. 557-566. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Исследована сверхпроводимость в системах с переменной плотностью носителей заряда, сильными электронными корреляциями (путем учета влияния этих корреляций на электрон-фононное взаимодействие) и малыми энергиями Ферми. Последнее обстоятельство приводит к нарушению теоремы Мигдала и к необходимости учета вершинных и пересекающихся диаграмм по электрон-фононному взаимодействию (Pv , Pc ). Рассмотрена двумерная и трехмерная системы. Найдены величины Pv и Pc и уравнение для импульса обрезания электрон-фононного взаимодействия Qc . Показана зависимость этой величины от концентрации носителей заряда. Получены выражения для температуры сверхпроводящего перехода Tc и коэффициента изотопического эффекта a и проанализировано их поведение как функций концентрации носителей заряда. Определены значения плотностей носителей заряда, при которых возможна сверхпроводимость в двумерной и трехмерной системах. |
|---|