Пьезоэлектрический механизм ориентации страйп-структур в двумерных электронных системах

Рассмотрен пьезоэлектрический механизм ориентации страйпов в двумерных электронных системах в гетероструктурах GaAs-AlGaAs. Показано, что с учетом анизотропии упругих модулей и влияния границы образца теория дает ориентацию страйпов вдоль [110] направления, что соответствует экспериментальным данным...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2000
1. Verfasser: Филь, Д.В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2000
Schriftenreihe:Физика низких температур
Schlagworte:
Online Zugang:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129170
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Пьезоэлектрический механизм ориентации страйп-структур в двумерных электронных системах / Д.В. Филь // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 8. — С. 792-798. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Рассмотрен пьезоэлектрический механизм ориентации страйпов в двумерных электронных системах в гетероструктурах GaAs-AlGaAs. Показано, что с учетом анизотропии упругих модулей и влияния границы образца теория дает ориентацию страйпов вдоль [110] направления, что соответствует экспериментальным данным. Для двухслойной системы найден эффект переориентации страйп-структуры вдоль направления [100] в случае, когда период структуры превышает расстояние между слоями.