Пьезоэлектрический механизм ориентации страйп-структур в двумерных электронных системах
Рассмотрен пьезоэлектрический механизм ориентации страйпов в двумерных электронных системах в гетероструктурах GaAs-AlGaAs. Показано, что с учетом анизотропии упругих модулей и влияния границы образца теория дает ориентацию страйпов вдоль [110] направления, что соответствует экспериментальным данным...
Gespeichert in:
Datum: | 2000 |
---|---|
1. Verfasser: | |
Format: | Artikel |
Sprache: | Russian |
Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2000
|
Schriftenreihe: | Физика низких температур |
Schlagworte: | |
Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129170 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Пьезоэлектрический механизм ориентации страйп-структур в двумерных электронных системах / Д.В. Филь // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 8. — С. 792-798. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineZusammenfassung: | Рассмотрен пьезоэлектрический механизм ориентации страйпов в двумерных электронных системах в гетероструктурах GaAs-AlGaAs. Показано, что с учетом анизотропии упругих модулей и влияния границы образца теория дает ориентацию страйпов вдоль [110] направления, что соответствует экспериментальным данным. Для двухслойной системы найден эффект переориентации страйп-структуры вдоль направления [100] в случае, когда период структуры превышает расстояние между слоями. |
---|