Особенности температурных зависимостей захваченного магнитного потока в керамиках Y-ВТСП
Изучены температурные зависимости захваченного магнитного поля (ЗМП) Ht (T в керамических системах Y-ВТСП. Для захвата после охлаждения в поле зависимости Ht (T совпадают c Ht (Tt ) (Tt - температуры захвата): Ht монотонно уменьшается с ростом температуры, а в слабых полях быстро выходит на насыщени...
Gespeichert in:
| Datum: | 2001 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2001
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129260 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Особенности температурных зависимостей захваченного магнитного потока в керамиках Y-ВТСП / А.А. Суханов, В.И. Омельченко // Физика низких температур. — 2003. — Т. 27, № 1. — С. 24-29. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Изучены температурные зависимости захваченного магнитного поля (ЗМП) Ht (T в керамических системах Y-ВТСП. Для захвата после охлаждения в поле зависимости Ht (T совпадают c Ht (Tt ) (Tt - температуры захвата): Ht монотонно уменьшается с ростом температуры, а в слабых полях быстро выходит на насыщение при понижении Tt. В случае захвата импульсом магнитного поля после охлаждения в нулевом поле зависимости Ht (Tt )имеют максимум, а Ht монотонно уменьшается с ростом T, причем скорость этого пpоцесса увеличивается при уменьшении инициирующего поля H, а температура исчезновения ЗМП понижается при уменьшении Tt и H. Проведено обсуждение полученных результатов и показано, что наблюдаемые особенности температурных зависимостей захваченного магнитного потока в Y-ВТСП не находят объяснения в рамках модели Бина, но удовлетвоpительно описываются моделью захвата магнитного потока в сверхпроводящих контурах. |
|---|