Низкотемпературная магнитная вязкость в тонких пленках GaMnSb, содержащих кластеры MnSb

Измерены временные зависимости магнитного момента m(t) тонких пленок GaMnSb, содержащих кластеры MnSb. Обнаружено, что кривые m(t) спрямляются в полулогарифмических координатах m(lnt). Угловой коэффициент прямых m(lnt) соответствует магнитной вязкости S. Установлено, что полевые зависимости магнит...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2016
Автори:	Дмитриев, А.И., Костюченко, С.A.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2016
Назва видання:	Физика низких температур
Теми:	Низкотемпеpатуpный магнетизм
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129289
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Низкотемпературная магнитная вязкость в тонких пленках GaMnSb, содержащих кластеры MnSb / А.И. Дмитриев, С.A. Костюченко // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 9. — С. 966-971. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-129289
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1292892018-01-19T03:03:27Z Низкотемпературная магнитная вязкость в тонких пленках GaMnSb, содержащих кластеры MnSb Дмитриев, А.И. Костюченко, С.A. Низкотемпеpатуpный магнетизм Измерены временные зависимости магнитного момента m(t) тонких пленок GaMnSb, содержащих кластеры MnSb. Обнаружено, что кривые m(t) спрямляются в полулогарифмических координатах m(lnt). Угловой коэффициент прямых m(lnt) соответствует магнитной вязкости S. Установлено, что полевые зависимости магнитной вязкости S(H) и магнитного момента m(H) при низких температурах определяются логнормальным распределением энергии магнитной анизотропии кластеров MnSb. Виміряно часові залежності магнітного моменту m(t) тонких плівок GaMnSb, що містять кластери MnSb. Виявлено, що криві m(t) спрямляються в напівлогарифмічних координатах m(lnt). Кутовий коефіцієнт прямих m(lnt) відповідає магнітної в’язкості S. Встановлено, що польові залежності магнітній в’язкості S(H) і магнітного моменту m(H) при низьких температурах визначаються логнормальним розподілом енергії магнітної анізотропії кластерів MnSb. The time dependences of the magnetic moment m( t) of thin GaMnSb films containing MnSb clusters are measured. It is found that the m( t) curves are straight in semilogarithmic coordinates m(ln t). The slope of the m(ln t) lines correspond to the magnetic viscosity S. It is found that the field dependences of the magnetic viscosity S( H) and magnetic moment m( H) at low temperatures are determined by a log-normal distribution of the magnetic anisotropy energy of the MnSb clusters. 2016 Article Низкотемпературная магнитная вязкость в тонких пленках GaMnSb, содержащих кластеры MnSb / А.И. Дмитриев, С.A. Костюченко // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 9. — С. 966-971. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 75.50.Pp, 75.70.Ak, 75.75.–c, 75.60.Jk http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129289 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Низкотемпеpатуpный магнетизм Низкотемпеpатуpный магнетизм
spellingShingle	Низкотемпеpатуpный магнетизм Низкотемпеpатуpный магнетизм Дмитриев, А.И. Костюченко, С.A. Низкотемпературная магнитная вязкость в тонких пленках GaMnSb, содержащих кластеры MnSb Физика низких температур
description	Измерены временные зависимости магнитного момента m(t) тонких пленок GaMnSb, содержащих кластеры MnSb. Обнаружено, что кривые m(t) спрямляются в полулогарифмических координатах m(lnt). Угловой коэффициент прямых m(lnt) соответствует магнитной вязкости S. Установлено, что полевые зависимости магнитной вязкости S(H) и магнитного момента m(H) при низких температурах определяются логнормальным распределением энергии магнитной анизотропии кластеров MnSb.
format	Article
author	Дмитриев, А.И. Костюченко, С.A.
author_facet	Дмитриев, А.И. Костюченко, С.A.
author_sort	Дмитриев, А.И.
title	Низкотемпературная магнитная вязкость в тонких пленках GaMnSb, содержащих кластеры MnSb
title_short	Низкотемпературная магнитная вязкость в тонких пленках GaMnSb, содержащих кластеры MnSb
title_full	Низкотемпературная магнитная вязкость в тонких пленках GaMnSb, содержащих кластеры MnSb
title_fullStr	Низкотемпературная магнитная вязкость в тонких пленках GaMnSb, содержащих кластеры MnSb
title_full_unstemmed	Низкотемпературная магнитная вязкость в тонких пленках GaMnSb, содержащих кластеры MnSb
title_sort	низкотемпературная магнитная вязкость в тонких пленках gamnsb, содержащих кластеры mnsb
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate	2016
topic_facet	Низкотемпеpатуpный магнетизм
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129289
citation_txt	Низкотемпературная магнитная вязкость в тонких пленках GaMnSb, содержащих кластеры MnSb / А.И. Дмитриев, С.A. Костюченко // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 9. — С. 966-971. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
series	Физика низких температур
work_keys_str_mv	AT dmitrievai nizkotemperaturnaâmagnitnaâvâzkostʹvtonkihplenkahgamnsbsoderžaŝihklasterymnsb AT kostûčenkosa nizkotemperaturnaâmagnitnaâvâzkostʹvtonkihplenkahgamnsbsoderžaŝihklasterymnsb
first_indexed	2025-07-09T11:03:03Z
last_indexed	2025-07-09T11:03:03Z
_version_	1837167004144893952
fulltext	Low Temperature Physics/Физика низких температур, 2016, т. 42, № 9, c. 966–971 Низкотемпературная магнитная вязкость в тонких пленках GaMnSb, содержащих кластеры MnSb А.И. Дмитриев Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Россия E-mail: aid@icp.ac.ru С.A. Костюченко МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Статья поступила в редакцию 8 апреля 2016 г., опубликована онлайн 25 июля 2016 г. Измерены временные зависимости магнитного момента m(t) тонких пленок GaMnSb, содержащих кластеры MnSb. Обнаружено, что кривые m(t) спрямляются в полулогарифмических координатах m(ln t). Угловой коэффициент прямых m(ln t) соответствует магнитной вязкости S. Установлено, что полевые за- висимости магнитной вязкости S(H) и магнитного момента m(H) при низких температурах определяются логнормальным распределением энергии магнитной анизотропии кластеров MnSb. Виміряно часові залежності магнітного моменту m(t) тонких плівок GaMnSb, що містять кластери MnSb. Виявлено, що криві m(t) спрямляються в напівлогарифмічних координатах m(ln t). Кутовий коефіцієнт прямих m(ln t) відповідає магнітної в’язкості S. Встановлено, що польові залежності магнітній в’язкості S(H) і магнітного моменту m(H) при низьких температурах визначаються логнормальним розподілом енергії магнітної анізотропії кластерів MnSb. PACS: 75.50.Pp Магнитные полупроводники; 75.70.Ak Магнитные свойства монослоев и тонких пленок; 75.75.–c Магнитные свойства наноструктур; 75.60.Jk Механизмы перемагничивания. Ключевые слова: тонкие пленки, разбавленные магнитные полупроводники, кластеры. 1. Введение Известные трудности в изготовлении разбавленных магнитных полупроводников и интерпретации их маг- нитных свойств обусловлены плохой растворимостью примеси переходных металлов в полупроводниковой матрице и, как следствие, образованием кластеров вто- ричной фазы [1–4]. В качестве примеров можно привес- ти гетероструктуры GaMnAs с кластерами MnAs [1,2], тонкие пленки GeMn с кластерами Mn5Ge3 [3,4] и др. Перемагничивание тонких пленок, содержащих кластеры, обусловлено термоактивированными «пере- скоками» через потенциальный барьер aE (рис. 1). Это явление называется магнитной релаксацией, характер- ное время τ которой определяется законом Аррениуса: 0 exp a B E k T   τ = τ     , (1) Рис. 1. Схема энергетического барьера Ea, преодолеваемого кластерами при перемагничивании, в нулевом магнитном поле и магнитном поле, отличном от нуля. © А.И. Дмитриев, С.A. Костюченко, 2016 mailto:aid@icp.ac.ru Низкотемпературная магнитная вязкость в тонких пленках GaMnSb, содержащих кластеры MnSb где aE = KV — энергия магнитной анизотропии (здесь K — константа магнитной анизотропии, V — объем кластера), 0τ — предэкспоненциальный фактор, имеющий смысл времени ожидания «перескока», Т — температура, Bk — постоянная Больцмана. Выраже- ние (1) справедливо в самом простейшем случае, ко- гда релаксационный процесс характеризуется единствен- ным значением времени τ (в отсутствие распределения кластеров по размерам). Соответствующая временная зависимость магнитного момента m(t) описывается экс- поненциальной функцией [5]: 0( ) exp tm t m  = − τ  , (2) где 0m — начальное значение магнитного момента. В более сложном случае, когда флуктуации харак- теризуются распределением времен релаксации ( )f τ (распределением кластеров по размерам ( )f V ), выра- жение (1) следует привести к виду [6]: 0 ( ) exp B KVf V dV k T   τ = τ     ∫ . (3) В этом случае временная зависимость магнитного мо- мента m(t) находится интегрированием выражения (2) с плотностью распределения ( )f V [5]: 0( ) ( ) exp tm t m f V dV = − τ ∫ . (4) В случае широкого распределения времен релаксации 1 2τ < τ< τ из выражения (4) следует, что приращение магнитного момента 0( ) ( )m t m m t∆ = − примет вид [6]: ~ ln s m S t m ∆ , (5) где sm — магнитный момент насыщения, S — магнит- ная вязкость. Таким образом, логарифмическая кинетика спонтан- ного перемагничивания тонких пленок, содержащих кластеры, определяется суперпозицией релаксационных процессов с широким распределением времен релакса- ции. В настоящей работе при низких температурах измерены временные зависимости магнитного момента m(t) тонких пленок GaMnSb, содержащих кластеры MnSb, а также исследованы полевые зависимости маг- нитной вязкости S(H) и магнитного момента m(H). Цель работы — поиск влияния распределения кластеров MnSb по размерам на магнитную вязкость в тонких пленках GaMnSb. 2. Методика Пленки GaMnSb толщиной 90 нм и площадью ~ 1 см2 были получены из системы GaSb–MnSb эвтек- тического состава методом импульсного лазерного осаждения в условиях высокого вакуума при темпера- туре 100 °C. В качестве подложек использовался моно- кристаллический Al2O3. После напыления образец был подвергнут отжигу при температуре 350 °C в течение 30 мин. Структура и состав тонких пленок контроли- ровались сканирующим зондовым микроскопом и ска- нирующим электронным микроскопом. Химический состав в приповерхностных слоях пленок был опреде- лен методом энергодисперсионной спектроскопии. Изображение поверхности тонкой пленки GaMnSb, полученное с помощью магнитно-силового микроско- па, представленное на рис. 2, показывает, что пленки имеют магнитные нановключения, т.е. являются гра- нулированными. Подробно методика изготовления и аттестации образца описана ранее [7,8]. С помощью СКВИД магнитометра (MPMS 5XL Quantum Design) были выполнены стандартные измере- ния полевой зависимости магнитного момента образца m(H) при температуре T = 8 К. С помощью СКВИД маг- нитометра также были получены временные зависимости магнитного момента m(t) в интервале магнитных полей H = 100–1000 Э при температуре T = 8 К. 3. Результаты и обсуждение 3.1. Зависимость магнитного момента от напряженности магнитного поля На рис. 3(а) представлена зависимость магнитного момента m(H) тонкой пленки GaMnSb от напряжен- ности магнитного поля при T = 8 К. Магнитный мо- мент насыщения достигает значения sm = 3,25 Bµ , близкого к соответствующему значению 3,57 Bµ для стехиометрического сплава MnSb [9]. Вид зависимости m(H) определяется распределени- ем кластеров MnSb по размерам (по энергиям магнит- ной анизотропии) [10]: Рис. 2. Изображение поверхности тонкой пленки GaMnSb, полученное с помощью магнитно-силового микроскопа. Low Temperature Physics/Физика низких температур, 2016, т. 42, № 9 967 А.И. Дмитриев, С.A. Костюченко lim 3 3 1 ( ) 2 1 s V M xm Vf V dV x ∞ − = +∫ , (6) где 2 2 2 1 2 12 3 2(1 ) a a a H H H H x H H     + − −       =   −     . Здесь H — напряженность магнитного поля, sM — намагниченность насыщения, aH — поле магнитной анизотропии, limV = 225 /(1 ( / ))B ak T H H= − — значение объема, выше которого кластеры находятся в блокиро- ванном состоянии. Распределение кластеров по объему задается логнормальной функцией: 2 ln 1 1( ) exp 22 m V V f V V       = − σ σ π       , (7) где σ — дисперсия, mV — медианный объем. Для удобства анализа экспериментальных данных найдем производную dm/dH от выражения (6), предва- рительно сделав в интеграле замену переменных 225 /(1 ( / )) :B aV k T H H= − 2 2 3 5 3 3 254 (25 ) 1 1 1 1 B B a s a a k Tf k T HK Hdm x dH xHM H H            −   −  = +  −    . (8) На рис. 3(б) представлена температурная зависи- мость производной dm/dH и ее аппроксимация выра- жением (8). Немонотонная зависимость dm/dH обу- словлена логнормальным распределением кластеров MnSb по размерам. Из аппроксимации удалось восста- новить вид зависимости ( )aEρ , которая ниже будет сопоставлена с распределением кластеров по размерам (диаметрам D), полученным из данных магнитно- силовой микроскопии. 3.2. Временные зависимости магнитного момента. Зависимость магнитной вязкости от напряженности магнитного поля На рис. 4(a) представлена схема переключения внешнего магнитного поля в экспериментах по изме- рению зависимостей m(t). Вначале образец намагничи- вался в магнитном поле H = 2 кЭ (превышающем поле насыщения). Время t1 экспозиции образца в магнитном поле составляло 300 с. После выдержки образца в маг- Рис. 3. (a) Зависимость магнитного момента образца от на- пряженности магнитного поля при температуре T = 8 К. (б) Полевая зависимость производной dm/dH. Сплошной линией показана аппроксимация. Рис. 4. (а) Схема переключения внешнего магнитного поля в экспериментах по измерению временных зависимостей маг- нитного момента. (б) Схематическое изображение изменения магнитного момента тонких пленок. Отмечены промежутки времен: t1 = 300 с — длительность экспозиции образцов в магнитном поле H = 2 кЭ (превышающем поле насыщения HS), t2 = 2400 с — длительность измерения временных зави- симостей магнитного момента образцов. 968 Low Temperature Physics/Физика низких температур, 2016, т. 42, № 9 Низкотемпературная магнитная вязкость в тонких пленках GaMnSb, содержащих кластеры MnSb нитном поле H = 2 кЭ в течение t1 = 300 с включалось поле, направленное против вектора магнитного момен- та образца. Время развертки поля составляло около 90 с. После установки отрицательного магнитного по- ля происходила запись временной зависимости маг- нитного момента. Длительность t2 измерения зависи- мостей m(t) составляла 2400 с. Было выполнено около десяти циклов перемагничивания в различных магнит- ных полях напряженностью H = 100–1000 Э при тем- пературе 8 К. На рис. 4(б) показано схематическое изображение изменения магнитного момента образца. На рис. 5 показаны временные зависимости измене- ния магнитного момента Δm(t), выраженного в едини- цах намагниченности насыщения ms, в магнитном поле различной напряженности, направленном против век- тора магнитного момента образца. На рис. 5 видно, что зависимости Δm(t) спрямляются в полулогарифмиче- ских координатах. Сплошными линиями показаны ап- проксимации выражением (5). Тангенс угла наклона зависимости Δm(ln t) соответствует магнитной вязкости S = dm/d(ln t). На рис. 5 видно, что угол наклона прямых Δm(ln t), а значит, магнитная вязкость, является немонотонной функцией напряженности магнитного поля. На рис. 6 показана зависимость S(H) при T = 8 К. Зависимость S(H) имеет максимум вблизи напряженности магнит- ного поля 600 Э, которая близка к коэрцитивной силе Hc образца при этой же температуре. Вид полевой зависимости S зависит от распределе- ния кластеров по размерам и определяется выражени- ем [11,12]: ( ) 25 c c s b S T f V V m T = , (9) где Tb — температура блокировки кластеров, соответ- ствующая медиане распределения кластеров по разме- рам, 25 /c BV k T K= — критический объем, ( )cf V — функция распределения кластеров по cV . В заданном магнитном поле только те кластеры участвуют в ре- лаксации за счет термических флуктуаций, объем ко- торых равен cV . Для кластеров меньшего объема про- цесс релаксации уже завершился за время развертки поля, а кластеры большего объема не участвуют в про- цессе релаксации, так как для них энергетический барьер, разделяющий два направления намагниченности, слиш- ком велик по сравнению с энергией термических флук- туаций. В случае логнормального распределения ( )cf V выражение для магнитной вязкости должно иметь вид: 2 ln 1 1exp 25 22 b s b T TS T M T       = − σ πσ       , (10) где σ — среднеквадратическое отклонение. На рис. 6 сплошной линией показана аппроксимация зависимо- сти S(H) функцией (11), полученной из выражения (10), в котором было учтено, что энергетический барь- ер, разделяющий два направления намагниченности, а значит, температура блокировки bT и критический объем cV , зависят от соотношения приложенного маг- нитного поля H и поля анизотропии aH (рис. 1): 2 2 2 ln 1 1 1exp . 22 25 1 b a s b a T HT HS T m HT H        −      = − σ πσ    −            (11) Рис. 5. Временные зависимости изменения магнитного мо- мента Δm(t), выраженного в единицах магнитного момента насыщения ms, в магнитном поле различной напряженности, направленном против вектора магнитного момента образца, при температуре T = 8 К в полулогарифмических координа- тах. Сплошными линиями показаны аппроксимации. Рис. 6. Зависимость магнитной вязкости S, выраженной в еди- ницах магнитного момента насыщения ms, от напряженности магнитного поля при T = 8 К. Сплошной линией показана аппроксимация. Low Temperature Physics/Физика низких температур, 2016, т. 42, № 9 969 А.И. Дмитриев, С.A. Костюченко Из аппроксимации зависимостей S(H) при темпера- туре T = 8 К была определена температура блокировки bT = 390 К кластеров, а также поле магнитной анизо- тропии aH = 700 Э при T = 8 К. Таким образом, из рис. 6 следует, что полевая зависимость магнитной вязко- сти определяется логнормальным распределением энер- гии магнитной анизотропии f(Ea) кластеров MnSb. Зная поле магнитной анизотропии и намагничен- ность насыщения, определенной из зависимостей магнитного момента от напряженности магнитного поля (рис. 3(а)), можно оценить константу магнитной анизотропии согласно формуле aH = 2K/Ms. При тем- пературе 8 К константа магнитной анизотропии K = 7,2·104 эрг/см3. Определенное здесь значение K при T = 8 К близко к значению K = 14·104 эрг/см3, найденному ранее для этого же образца с помощью ферромагнитного резонанса при той же температуре [13]. Завышенное значение, полученное в работе [13], вероятно, связано с тем, что для анализа ориентаци- онных зависимостей резонансного поля использова- лись формулы Киттеля для сплошной намагниченной тонкой пластины, что не совсем отвечает гранулиро- ванной структуре образца даже с учетом диполь- дипольного взаимодействия. На рис. 7 представлено распределение кластеров MnSb по размерам, полученное из данных магнитно- силовой микроскопии (рис. 2), а также кривая f(Ea), полученная в результате анализа полевых m(H) и вре- менных m(t) зависимостей магнитного момента тонких пленок GaMnSb. Их корреляция свидетельствует о том, что зависимости m(H) и S(H) определяются логнор- мальным распределением кластеров MnSb по размерам (энергии магнитной анизотропии). 4. Выводы Установлено, что магнитные свойства тонких пле- нок GaMnSb определяются кластерами вторичной фа- зы MnSb, внедренными в тонкие пленки. Обнаружена корреляция между функцией распределения кластеров MnSb по размеру, полученной из данных магнитно- силовой микроскопии, и функцией распределения кла- стеров MnSb по энергии магнитной анизотропии, по- лученной в результате анализа полевых m(T) и времен- ных m(t) зависимостей магнитного момента тонких пленок GaMnSb. Их корреляция указывает на то, что зависимости магнитного момента m(H) и магнитной вязкости S(H) от напряженности магнитного поля оп- ределяются логнормальным распределением кластеров MnSb по размерам (энергии магнитной анизотропии). Работа поддержана грантом Президента РФ МК- 5754.2016.3. Авторы признательны Б.А. Аронзону за образцы и данные магнитно-силовой микроскопии. А.И. Дмитриев благодарен Р.Б. Моргунову — учите- лю, многолетней работой с которым обусловлен инте- рес к теме, обсуждаемой в статье. 1. А.И. Дмитриев, А.Д. Таланцев, С.В. Зайцев, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, Б.Н. Звонков, О.В. Коплак, Р.Б. Моргунов, ЖЭТФ 140, 158 (2011). 2. А.И. Дмитриев, Р.Б. Моргунов, С.В. Зайцев, ЖЭТФ 139, 367 (2011). 3. Р.Б. Моргунов, А.И. Дмитриев, ФТТ 51, 1873 (2009). 4. A.И. Дмитриев, Р.Б. Моргунов, О.Л. Казакова, Y. Tanimoto, ЖЭТФ 135, 1134 (2009). 5. С. Тикадзуми, Физика ферромагнетизма. Магнитные характеристики и практические применения, Наука, Москва (1987). 6. M. Knobel, W.C. Nunes, L.M. Socolovsky, E. De Biasi, J.M. Vargas, and J.C. Denardin, J. Nanosci. Nanotechnol. 8, 2836 (2008). 7. С.Ф. Маренкин, О.А. Новодворский, А.В. Шорохова, А.Б. Давыдов, Б.А. Аронзон, А.В. Кочура, И.В. Федорченко, О.Д. Храмова, А.В. Тимофеев, Неорг. матер. 50, 973 (2014). 8. А.А. Lotin, О.А. Novodvorsky, L.S. Parshina, Е.V. Khaydukov, D.A. Zuev, O.D. Khramova, and V.Ya. Panchenko, Appl. Phys. B 104, 565 (2011). 9. R. Coehoorn, C. Haas, and R.A. Groot, Phys. Rev. B 31, 1980 (1985). 10. A. Hillion, A. Tamion, F. Tournus, O. Gaier, E. Bonet, C. Albin, and V. Dupuis, Phys. Rev. B 88, 094419 (2013). 11. F. Tournus and A.Tamion, J. Magn. Magn. Mater. 323, 1118 (2011). 12. J. Tejada, X.X. Zhang, and J.M. Hernandez, in: Proc. of NATO ASI, G.C. Hadjipanayis (ed.), Kluwer Academic Publishers, Amsterdam (1997), vol. 338, p. 221. 13. А.Д. Таланцев, О.В. Коплак, Р.Б. Моргунов, ФТТ 57, 307 (2015). Рис. 7. Распределение кластеров MnSb по размеру, получен- ное из данных магнитно-силовой микроскопии, а также зави- симость f(Ea), полученная в результате анализа полевых и временных зависимостей магнитного момента тонких пленок GaMnSb. 970 Low Temperature Physics/Физика низких температур, 2016, т. 42, № 9 Низкотемпературная магнитная вязкость в тонких пленках GaMnSb, содержащих кластеры MnSb Low-temperature magnetic viscosity in GaMnSb thin films, containing MnSb clusters A.I. Dmitriev and S.A. Kostyuchenko Time dependences of the magnetic moment m(t) of GaMnSb thin films, containing MnSb clusters, were measured. Straightening of m(t) curves in semi- logarithmic coordinates m(ln t) was found. The slope of the m(ln t) dependence corresponds to the magnetic viscosity S. It was found that the magnetic field de- pendence of the magnetic viscosity S(H) and the mag- netic moment m(H) at low temperatures is determined by the log-normal distribution of the magnetic anisot- ropy energy of MnSb clusters. PACS: 75.50.Pp Magnetic semiconductors; 75.70.Ak Magnetic properties of monolayers and thin films; 75.75.–c Magnetic properties of nanostruc- tures; 75.60.Jk Magnetization reversal mechanisms. Keywords: thin films, diluted magnetic semiconduc- tors, clusters. Low Temperature Physics/Физика низких температур, 2016, т. 42, № 9 971 1. Введение 2. Методика 3. Результаты и обсуждение 3.1. Зависимость магнитного момента от напряженности магнитного поля 3.2. Временные зависимости магнитного момента. Зависимость магнитной вязкости от напряженности магнитного поля 4. Выводы

Низкотемпературная магнитная вязкость в тонких пленках GaMnSb, содержащих кластеры MnSb

Репозитарії

Схожі ресурси