Gudina, S., Neverov, V., Novik, E., Ilchenko, E., Harus, G., Shelushinina, N., . . . Dvoretsky, S. (2017). Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure. Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Gudina, S.V, et al. Activation Transport Under Quantum Hall Regime in HgTe-based Heterostructure. Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України, 2017.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Gudina, S.V, et al. Activation Transport Under Quantum Hall Regime in HgTe-based Heterostructure. Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України, 2017.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.