Антисимметричный вклад в магнитосопротивление гетероструктур в параллельном магнитном поле
Экспериментально обнаружена анизотропия магнитосопротивления в зависимости от направления тока в случае, когда магнитное поле лежит в плоскости двумерной системы и перпендикулярно направлению тока. Этот эффект связан с совместным действием силы Лоренца, которая приводит к смещению максимума электро...
Gespeichert in:
| Datum: | 2017 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2017
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129430 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Антисимметричный вклад в магнитосопротивление гетероструктур в параллельном магнитном поле / А.С. Боголюбский, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.Г. Новокшонов, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 618-622. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Экспериментально обнаружена анизотропия магнитосопротивления в зависимости от направления тока в случае, когда магнитное поле лежит в плоскости двумерной системы и перпендикулярно направлению тока. Этот эффект связан с совместным действием силы Лоренца, которая приводит к смещению
максимума электронной плотности из центра к разным стенкам квантовой ямы при противоположных
направлениях тока, и различием вкладов рассеивателей в сопротивление с разных сторон квантовой ямы.
Показано, что разность между сопротивлениями при разных направлениях тока является нечетным эффектом относительно направления магнитного поля и величина эффекта растет с увеличением тока. Обнаружены закономерности поведения разности между сопротивлениями при разных направлениях тока
в зависимости от напряженности магнитного поля и величины тока. Показано, что по знаку эффекта
можно сделать вывод о соотношении интенсивностей рассеяния со стороны подложки и со стороны поверхности. |
|---|