Влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов
На примере гетероструктуры AlxGa₁₋xAs/GaAs изучено влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на неравновесном коррелированном распределении примесных ионов. Показано, что подсветка образца при достаточно высоких температурах приводит к подавлению эффекта «инверсии электронной про...
Saved in:
| Date: | 2017 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2017
|
| Series: | Физика низких температур |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129431 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов / В.М. Михеев // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 623-628. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |