Анизотропия крипа вихрей в монокристалле YBa₂Cu₃O₇₋x с однонаправленными границами двойников
Крип вихрей при температурах 82-87 К в монокристалле, содержащем однонаправленные границы двойников (ГД), исследован в специальной геометрии эксперимента: J||ab, J|| ГД, H^J, α ≡ ∠H, ab - варьируемый параметр. Показано, что в слабых магнитных полях ГД изменяют конфигурационную структуру вихревых нит...
Gespeichert in:
| Datum: | 2001 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2001
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130000 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Анизотропия крипа вихрей в монокристалле YBa₂Cu₃O₇₋x с однонаправленными границами двойников / А.В. Бондаренко, М.Г. Ревякина, А.А. Продан, М.А. Оболенский, Р.В. Вовк, Т.Р. Ароури // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 3. — С. 275-293. — Бібліогр.: 36 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Крип вихрей при температурах 82-87 К в монокристалле, содержащем однонаправленные границы двойников (ГД), исследован в специальной геометрии эксперимента: J||ab, J|| ГД, H^J, α ≡ ∠H, ab - варьируемый параметр. Показано, что в слабых магнитных полях ГД изменяют конфигурационную структуру вихревых нитей при углах разориентации q между вектором магнитного поля H и плоскостями ГД вплоть до 70° : при углах θ< < 70° часть вихревой нити оказывается захваченной плоскостями ГД. Показано, что границы двойников являются эффективными центрами пиннинга при движении вихрей перпендикулярно плоскости ГД, поэтому в слабых магнитных полях при углах θ< < 70° реализуется направленное движение вихрей вдоль плоскостей ГД. Определена угловая зависимость энергии активации при пластическом механизме крипа, которая согласуется с проведенными теоретическими оценками. При ориентации вектора H в окрестности ab-плоскости кристалла максимум на угловой зависимости измеряемого "критического" тока JcE (α) , наблюдаемый в слабых магнитных полях при ориентации вектора поля H||ab, сменяется минимумом при увеличении магнитного поля, который объясняется заменой крипа невзаимодействующих вихрей коллективным крипом при увеличении магнитного поля. |
|---|