Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃> - Бахтінов, А.П.; Водоп’янов, В.М.; Ковалюк, З.Д.; Нетяга, В.В.; Ткачук, І.Г. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2017)
В даній роботі було створено нанокомпозит — шаруватий кристалсеґнетоелектрик. В якості йонної солі використовувався нітрат рубідію. Нітрат рубідію має найвищу йонну провідність серед нітратів. Тому, використовуючи цей матеріял з відносно невисокою температурою топлення, можна виготовити нанокомпозитні матеріяли при різних температурах і, досліджуючи їхні електричні властивості, встановити внесок йонної провідности нанорозмірних включень із вертикальними розмірами порядку ширини Ван-дер-Ваальсової щілини у загальну провідність структури. Дослідження морфології поверхні зразків нанокомпозитних матеріялів здійснювалося за допомогою атомного силового мікроскопа (АСМ) Nanoscope III a DimensionTM 3000 (Digital Instruments).