Спин-решеточная релаксация в ОЦК фазе расслоившихся твердых растворов ³He-⁴He - Михин, Н.П.; Майданов, В.А.; Полев, А.В. (Физика низких температур, 2002)
Методом импульсного ЯМР проведены измерения времени спин-решеточной релаксации в двух образцах твердых растворов ³He-⁴Heс исходным содержанием 0,5 % ³He в ⁴He и 0,5% ⁴He в ³He. В результате фазового расслоения в обоих случаях образуются двухфазные кристаллы с одинаковым содержанием гелия в концентрированной ОЦК фазе . Однако в первом образце ОЦК фаза образуется в виде малых включений в ГПУ матрице, а во втором образце ОЦК фаза является матрицей. Установлено, что во втором случае спин-решеточная релаксация осуществляется так же, как в массивном чистом ³He, в то время как в первом случае наблюдается аномальное поведение времени спин-решеточной релаксации при низких температурах. Эксперименты показали, что эта аномалия связана не с возможным влиянием малых примесей ⁴He, а с малыми размерами включений ОЦК фазы. В этом случае основной вклад в релаксацию, по-видимому, вносят дефекты, образованные на границах ОЦК включений и ГПУ матрицы.