Особенности низкотемпературной пластичности монокристаллов Pb-In
Исследованы температурные зависимости параметров пластичности монокристаллов Pb-In с концентрацией индия 1-20 ат.%, деформированных растяжением с постоянной скоростью в интервале температур 4,2-295 К. В результате анализа экспериментальных данных получены эмпирические оценки основных параметров дисл...
Gespeichert in:
| Datum: | 2002 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2002
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130177 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Особенности низкотемпературной пластичности монокристаллов Pb-In / Н.В. Исаев, В.С. Фоменко, В.В. Пустовалов, И.С. Брауде // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 5. — С. 522-531. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Исследованы температурные зависимости параметров пластичности монокристаллов Pb-In с концентрацией индия 1-20 ат.%, деформированных растяжением с постоянной скоростью в интервале температур 4,2-295 К. В результате анализа экспериментальных данных получены эмпирические оценки основных параметров дислокационно-примесного взаимодействия и коэффициента динамического трения дислокаций. Рассчитанные значения этих параметров соответствуют представлениям о последовательном переходе при охлаждении от термически активированного движения дислокаций через локальные примесные барьеры к термоинерционному. Вместе с тем при повышении концентрации индия (до 20 ат.%) существенное влияние на низкотемпературные механизмы движения дислокаций начинают оказывать области ближнего порядка (кластеры), наличие которых зарегистрировано методом рентгеновского диффузного рассеяния. |
|---|