Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів - Федосов, А.В.; Луньов, С.В.; Федосов, С.А. (Відділення фізики і астрономії НАН України, 2010)
Дослiджено п’єзоопiр γ-опромiнених кристалiв n-Si за умови, коли X||J|| [111]. Визначено величину змiни енергетичної щiлини мiж глибоким енергетичним рiвнем EC – 0,17 еВ i долинами зони провiдностi n-Si при одновiснiй деформацiї вздовж кристалографiчного напрямку [111]. Показано, що для даного кристалографiчного напрямку баричний коефiцiєнт змiни енергетичної щiлини є незначним, оскiльки змiщення самого глибокого рiвня EC – 0,17 еВ i долин зони провiдностi n-Si при деформацiї є практично однаковими за величиною.