Radiological characterization of metal oxide semiconductor field effect transistor dosimeter

Radiological characterization of metal oxide semiconductor field effect transistor dosimeter

This paper reports our effort to develop a detailed 3D Monte Carlo simulation model of the High-Sensitivity MOSFET dosimeter using the MCNP 4C code for radiological charac -terization. To determine the dosimeter response accurately, this study has taken three actions: (1) The absorbed dose to the se...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2004
Автори: Chan-Hyeong Kim, Sang-Hoon Lee, Baodong Wang, X.George Xu
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2004
Назва видання:Functional Materials
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135238
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Radiological characterization of metal oxide semiconductor field effect transistor dosimeter / Chan-Hyeong Kim, Sang-Hoon Lee, Baodong Wang, X.George Xu // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 1. — С. 183-185. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-135238
record_format dspace
fulltext
spelling irk-123456789-1352382018-06-15T03:10:16Z Radiological characterization of metal oxide semiconductor field effect transistor dosimeter Chan-Hyeong Kim Sang-Hoon Lee Baodong Wang X.George Xu This paper reports our effort to develop a detailed 3D Monte Carlo simulation model of the High-Sensitivity MOSFET dosimeter using the MCNP 4C code for radiological charac -terization. To determine the dosimeter response accurately, this study has taken three actions: (1) The absorbed dose to the sensitive volume of the dosimeter is calculated directly from electron trajectories; (2) The electrons are forced to make at least ten substeps in the sensitive volume; and (3) ITS-style energy indexing algorithm is used instead of the default MCNP-style energy indexing algorithm. Our results show that the developed model calculates the angular dependence, absorbed dose, and energy dependence of the dosimeter very satisfactorily when we compare the results with the measured values and theoretical values. В статье описана попытка разработки подробной трехмерной модели Монте-Карло для высокочувствительного дозиметра на основе полевого МОП-транзистора (MOSFET) с применением кода MCNP 4C для определения радиологических характеристик. Для точного определения отклика дозиметра при исследовании были применены три приема: 1) поглощенная доза для чувствительного объема дозиметра рассчитана непосредственно из траекторий электронов; 2) электронам приписаны, по меньшей мере, 10 энергетических ступеней в чувствительном объеме; и 3) вместо алгоритма индексации энергии, применяемого в MCNP по умолчанию, использован алгоритм индексации энергии типа ITS. Наши результаты показывают, что разработанная модель позволяет весьма удовлетворительно рассчитывать угловую зависимость, поглощенную дозу и энергетическую зависимость для дозиметра, что следует из сопоставления полученных результатов с экспериментальными и теоретическими значениями. В робот! описано спробу розробки детальної тривимірної модєлі Монте-Карло для високочутливого дозиметра на основі польового МОП-транзистора (MOSFET) з застосуванням коду MCNP 4C для визначення радіологічних характеристик. Для точного визначення відгуку транзистора при дослідженні було застосовано три прийоми: 1) поглинену дозу для чутливого об’єму дозиметра розраховано безпосередньо за траєкторіями електронів; 2) електронам приписано щонайменше 10 енергетичних ступенів у чутливому об’ємі; і 3) замість алгоритму індексації енергії, застосованого в MCNP за відсутності застережень, використано алгоритм індексації енергії типу ITS. Наші результати вказують, що розроблена модель дозволяє цілком задовільно розраховувати кутову залежність, поглинену дозу та енергетичну залежність для дозиметра, що витікає із зіставлення одержаних результатів з експериментальними та теоретичними значеннями. 2004 Article Radiological characterization of metal oxide semiconductor field effect transistor dosimeter / Chan-Hyeong Kim, Sang-Hoon Lee, Baodong Wang, X.George Xu // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 1. — С. 183-185. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. 1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135238 en Functional Materials НТК «Інститут монокристалів» НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
description This paper reports our effort to develop a detailed 3D Monte Carlo simulation model of the High-Sensitivity MOSFET dosimeter using the MCNP 4C code for radiological charac -terization. To determine the dosimeter response accurately, this study has taken three actions: (1) The absorbed dose to the sensitive volume of the dosimeter is calculated directly from electron trajectories; (2) The electrons are forced to make at least ten substeps in the sensitive volume; and (3) ITS-style energy indexing algorithm is used instead of the default MCNP-style energy indexing algorithm. Our results show that the developed model calculates the angular dependence, absorbed dose, and energy dependence of the dosimeter very satisfactorily when we compare the results with the measured values and theoretical values.
format Article
author Chan-Hyeong Kim
Sang-Hoon Lee
Baodong Wang
X.George Xu
spellingShingle Chan-Hyeong Kim
Sang-Hoon Lee
Baodong Wang
X.George Xu
Radiological characterization of metal oxide semiconductor field effect transistor dosimeter
Functional Materials
author_facet Chan-Hyeong Kim
Sang-Hoon Lee
Baodong Wang
X.George Xu
author_sort Chan-Hyeong Kim
title Radiological characterization of metal oxide semiconductor field effect transistor dosimeter
title_short Radiological characterization of metal oxide semiconductor field effect transistor dosimeter
title_full Radiological characterization of metal oxide semiconductor field effect transistor dosimeter
title_fullStr Radiological characterization of metal oxide semiconductor field effect transistor dosimeter
title_full_unstemmed Radiological characterization of metal oxide semiconductor field effect transistor dosimeter
title_sort radiological characterization of metal oxide semiconductor field effect transistor dosimeter
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
publishDate 2004
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135238
citation_txt Radiological characterization of metal oxide semiconductor field effect transistor dosimeter / Chan-Hyeong Kim, Sang-Hoon Lee, Baodong Wang, X.George Xu // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 1. — С. 183-185. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.
series Functional Materials
work_keys_str_mv AT chanhyeongkim radiologicalcharacterizationofmetaloxidesemiconductorfieldeffecttransistordosimeter
AT sanghoonlee radiologicalcharacterizationofmetaloxidesemiconductorfieldeffecttransistordosimeter
AT baodongwang radiologicalcharacterizationofmetaloxidesemiconductorfieldeffecttransistordosimeter
AT xgeorgexu radiologicalcharacterizationofmetaloxidesemiconductorfieldeffecttransistordosimeter
first_indexed 2025-07-09T22:53:49Z
last_indexed 2025-07-09T22:53:49Z
_version_ 1837211723913756672

Схожі ресурси