Вплив наводнювання на властивості шаруватих кристалів моноселенідів галію та індію
Вставновлено, що водень посилює анізотропію властивостей (в т.ч. механічних) шаруватих кристалів моноселенідів галію та індію. Інтеркальований у міжшаровий простір цих сполук він знаходиться в молекулярному стані, займаючи трансляційноупорядковані місця. Перевищення певної концентрації супроводжуєть...
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України
2010
|
| Schriftenreihe: | Фізико-хімічна механіка матеріалів |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136132 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Вплив наводнювання на властивості шаруватих кристалів моноселенідів галію та індію / О.О. Балицький // Фізико-хімічна механіка матеріалів. — 2010. — Т. 46, № 4. — С. 42-46. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-136132 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1361322018-06-16T03:12:48Z Вплив наводнювання на властивості шаруватих кристалів моноселенідів галію та індію Балицький, О.О. Вставновлено, що водень посилює анізотропію властивостей (в т.ч. механічних) шаруватих кристалів моноселенідів галію та індію. Інтеркальований у міжшаровий простір цих сполук він знаходиться в молекулярному стані, займаючи трансляційноупорядковані місця. Перевищення певної концентрації супроводжується входженням у матричні шари кристалів йонів водню. Водород усиливает анизотропию свойств (в т.ч. механических) слоистых кристаллов моноселенидов галлия та индия. Интеркалированный в межслоевое пространство этих соединений он пребывает в молекулярном состоянии, занимая трансляционноупорядоченные места. Превышение определенной концентрации водорода сопровождается вхождением в матричные слои кристаллов ионов водорода. Hydrogen enhances the anisotrophy of the properties (including mechanical ones) of gallium and indium monoselenide layered crystals. Due to intensive intercalation between layers of crystals a hydrogen is in a molecular state, occupying the translation-ordered position. An increase of a definite concentration of hydrogen is accompained by hydrogen ions penetration into the matrix layers of crystals. 2010 Article Вплив наводнювання на властивості шаруватих кристалів моноселенідів галію та індію / О.О. Балицький // Фізико-хімічна механіка матеріалів. — 2010. — Т. 46, № 4. — С. 42-46. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. 0430-6252 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136132 [546.221.1:546:77](542.06+539.26) uk Фізико-хімічна механіка матеріалів Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| description |
Вставновлено, що водень посилює анізотропію властивостей (в т.ч. механічних) шаруватих кристалів моноселенідів галію та індію. Інтеркальований у міжшаровий простір цих сполук він знаходиться в молекулярному стані, займаючи трансляційноупорядковані місця. Перевищення певної концентрації супроводжується входженням у матричні шари кристалів йонів водню. |
| format |
Article |
| author |
Балицький, О.О. |
| spellingShingle |
Балицький, О.О. Вплив наводнювання на властивості шаруватих кристалів моноселенідів галію та індію Фізико-хімічна механіка матеріалів |
| author_facet |
Балицький, О.О. |
| author_sort |
Балицький, О.О. |
| title |
Вплив наводнювання на властивості шаруватих кристалів моноселенідів галію та індію |
| title_short |
Вплив наводнювання на властивості шаруватих кристалів моноселенідів галію та індію |
| title_full |
Вплив наводнювання на властивості шаруватих кристалів моноселенідів галію та індію |
| title_fullStr |
Вплив наводнювання на властивості шаруватих кристалів моноселенідів галію та індію |
| title_full_unstemmed |
Вплив наводнювання на властивості шаруватих кристалів моноселенідів галію та індію |
| title_sort |
вплив наводнювання на властивості шаруватих кристалів моноселенідів галію та індію |
| publisher |
Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України |
| publishDate |
2010 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136132 |
| citation_txt |
Вплив наводнювання на властивості шаруватих кристалів моноселенідів галію та індію / О.О. Балицький // Фізико-хімічна механіка матеріалів. — 2010. — Т. 46, № 4. — С. 42-46. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
| series |
Фізико-хімічна механіка матеріалів |
| work_keys_str_mv |
AT balicʹkijoo vplivnavodnûvannânavlastivostíšaruvatihkristalívmonoselenídívgalíûtaíndíû |
| first_indexed |
2025-07-10T00:41:52Z |
| last_indexed |
2025-07-10T00:41:52Z |
| _version_ |
1837218524060188672 |
| fulltext |
42
Ô³çèêî-õ³ì³÷íà ìåõàí³êà ìàòåð³àë³â. – 2010. – ¹ 4. – Physicochemical Mechanics of Materials
УДК [546.221.1:546:77](542.06+539.26)
ВПЛИВ НАВОДНЮВАННЯ НА ВЛАСТИВОСТІ ШАРУВАТИХ
КРИСТАЛІВ МОНОСЕЛЕНІДІВ ГАЛІЮ ТА ІНДІЮ
О. О. БАЛИЦЬКИЙ
Львівський національний університет ім. Івана Франка
Вставновлено, що водень посилює анізотропію властивостей (в т.ч. механічних) ша-
руватих кристалів моноселенідів галію та індію. Інтеркальований у міжшаровий
простір цих сполук він знаходиться в молекулярному стані, займаючи трансляційно-
упорядковані місця. Перевищення певної концентрації супроводжується входжен-
ням у матричні шари кристалів йонів водню.
Ключові слова: міцність, шаруватий кристал, воднева інтеркаляція, густина,
мікротвердість.
Шаруваті кристали [1–5], в першу чергу WS2, MoS2 [3], перспективні як
твердотільні елементи в системах накопичення водню. Відомо, що його концент-
рація може досягати значень, близьких до х = 5 (х – кількість введених атомів
водню на одну формульну одиницю кристала).
Процеси “інтеркаляції-деінтеркаляції” (“введення-виведення” домішок в (з)
міжшаровий (міжшарового) простір (простору) шаруватого кристала) водню в ін-
теркаляційних нанофазах на основі шаруватих наноструктур WS2, MoS2 термо-
динамічно зворотні, але невпорядкувані шаруваті інтеркальовані наноструктури
HxWS2, HxMoS2 [2] суттєво впливають на характеристики деінтеркаляції водню.
Кристали InSe і GaSe теж мають шарувату будову і викликають практичний
інтерес у системах перетворення енергії, оскільки отримані на їх основі гетеро-
структури фоточутливі та застосовуються в сонячних елементах [1, 2]. Водночас
завдяки різкій анізотропії хімічних зв’язків (сильна іонно-ковалентна всередині
шару і слабка Ван-дер-Ваальсова між ними) вдається ефективно інтеркалювати
воднем – вводити молекули в міжшаровий простір (у т. зв. “Ван-дер-Ваальсову
щілину”, яка в моноселенідах галію та індію займає від 40 до 45% всього об’єму
кристала) [2].
Нижче проаналізовано літературні джерела про вплив водню на властивості
моноселенідів галію та індію (InSe і GaSe), експериментально підтверджено про-
цеси інтеркаляції-деінтеркаляції водню в ці шаруваті кристали та їх дію на ме-
ханічні характеристики вказаних матеріалів.
Методика експерименту. Об’ємні монокристали GaSe (ε-модифікації, прос-
торова група 1
3hD ) і InSe (α-модифікації, 5
3vC ) вирощені методом Бріджмена. Для
подальших досліджень приготували призматичні зразки з поперечним перетином
16...160 mm2 і довжиною 7...70 mm [4]. Мікроструктуру досліджували стандарт-
ним металографічним методом на мікроскопі “Neophot”. Густину сплавів визна-
чали гідростатичним зважуванням за методикою Мора, використовуючи аналі-
тичну вагу. Мікротвердість вимірювали на приладах ПМТ-3 та Gnehm 100 Digital.
П’ятикратні зразки випробовували на міцність на установках Alfred J.Amsler & Co.
Зразки InSe і GaSe інтеркалювали воднем електролітично з 26%-го розчину
H2SO4 + 0,25 g.l–1 As2O3 з підбором оптимальних густин струму 0,5…3 А/m2, або
Контактна особа: О. О. БАЛИЦЬКИЙ, e-mail: balitskii@electronics.wups.lviv.ua
mailto:balitskii@electronics.wups.lviv.ua
43
у газоподібному водні при 873 K (для GaSe) і 773 K (для InSe) та тиску 10 MPa,
внаслідок чого отримали однорідні за складом зразки інтеркалянтів HxInSe та
HxGaSe. Концентрацію водню визначали приладом Leco TCH 600.
Результати та їх обговорення. Відомо, що деформація суттєво змінює енер-
гетичний спектр та фізичні властивості шаруватих кристалів [4]. Границя міцнос-
ті селенідів галію та індію у вихідному стані та наводнених (табл. 1) має значну
анізотропію. Абсолютні значення границі міцності зразків, зорієнтованих пер-
пендикулярно до осі с (у напрямку Ван-дер-Ваальсових зв’язків), менші, ніж ске-
рованих паралельно до шарів кристала, а уведений водень (у кількості від 108 до
120 wppm) посилює цю відмінність до 30%.
Таблиця 1. Механічні властивості селенідів галію
та індію у вихідному стані (чисельник) та наводнених (знаменник)
*
Bσ σB Hμ, Сполука
МPа
СН,
wppm
ε-GaSe 25,7 / 19,5 5,7 / 3,9 157 / 165 108
α-InSe 60,9 / 50,6 19,8 / 13,8 372 / 390 120
* Значення для зразків, розтягнутих паралельно до шарів кристала.
У свіжоприготовлених сплавах кількість кисню становить 30 wppm, а після
кількох місяців зберігання на повітрі збільшується на порядок з утворенням до
1 at.% Ga2O3 [5]. У такій кількості кисень негативно впливає на їх воденьсорбцій-
ні властивості. Тому перед насиченням воднем, щоб усунути залишковий кисень
зразки відпалювали при 573 K впродовж 48 h. За вмісту у кристалах 0,2 at.% кис-
ню температура плавлення сполуки GaSe помітно знижується і за нею можна на-
ближено оцінювати забруднення кристала домішковим киснем.
Поглинання водню шаруватими кристалами інтенсивніше, ніж кисню. Це
проявляється в аномальному зміщенні екситонної смуги поглинання в шаруватих
кристалах InSe і GaSe з підвищенням ступеня інтеркалювання воднем. У міжша-
ровому просторі кристала водень знаходиться в молекулярному стані (Н2), зай-
маючи трансляційно-упорядковані місця (пори). Зі збільшенням його концентра-
ції (х > 2) молекули Н2 дисоціюють та входять у матричні шари кристала у вигля-
ді йонів [6]. Насичення протонами описує реакція [7]
Ga(In)Se + x H+ + x e– = HxGa(In)Se. (1)
Зі зміною концентрації водню (в межах від х = 0…2,5) нелінійно зростає па-
раметр с, що описує залежність c(x) ∼ th(x). Для сполуки GaSe значення с зростає
від 1,589 (коли х = 0) до 1,594 nm (коли х = 2,5), з подальшим збільшенням концен-
трації цей параметр збільшується лише до 1,596 nm. Так формується “нанопояс”,
обмежений лінійними розмірами кристаліту, здатний оборотно адсорбувати та
виділяти водень. Абсолютне значення зміни параметра с при цьому таке ж, як і з
підвищенням температури від кімнатної до 373 K [8]. Під час інтеркалювання
воднем зростає і параметр кристалічної ґратки а (від 0,375 до 0,377 nm), що свід-
чить про часткове входження водню (за механізмом “втілення”) в матричні шари
кристала. Якщо безпосередньо під час насичення з газової фази кристал поглинає
до 400 wppm (основна кількість якого розміщується у “Ван-дер-Ваальсовій щіли-
ні”, формуючи водневовмісний “нанопояс” товщиною у кілька nm), то після збе-
рігання впродовж шести місяців за кімнатної температури кількість залишкового
водню залишається на рівні 0,012 mass.% (і він, в основному, залишає позиції до-
мішки “втілення” безпосередньо в матричному шарі і з кристала виділяється ди-
фузійно рухливий водень). Електролітичним наводнюванням концентрацію вод-
44
ню безпосередньо після насичення можна довести до 600 wppm, проте він зосере-
джується у “Ван-дер-Ваальсовій щілині” біля поверхні зразків, у той час як під час
насичення з газової фази розподіляється рівномірніше по всьому об’єму кристалів.
Для сполуки InSe унаслідок інтеркалювання воднем параметр кристалічної
ґратки с зростає від 2,497 (коли х = 0) до 2,504 nm (коли х = 1,5), з подальшим
збільшенням концентрації він збільшується лише до 2,506 nm. Абсолютне зна-
чення зміни параметра с аналогічне, як і з підвищенням температури від кімнат-
ної до 353 K [8]. Під час інтеркалювання воднем зростає параметр кристалічної
ґратки а (від 0,3998 до 0,407 nm), що свідчить про часткове входження йонізова-
ного водню (за механізмом “втілення”) у шаровий простір кристала. Збільшення
параметрів ґратки моноселенідів галію та індію зі зростанням концентрації вод-
ню супроводжується послабленням сил міжатомних зв’язків та появою в криста-
лічній ґратці мікронапружень. Густина досліджуваних кристалів при цьому сут-
тєво не змінюється (ρ = 5,04 g/cm3 (H2GaSe) і 5,61 g/cm3 (H2InSe)).
Стверджують [9], що в сполуці HxGaSe існує два стани водню: “квазірід-
кий”, за якого він локалізується у “Ван-дер-Ваальсовій щілині” та “зв’язаний”,
коли йонізований водень проникає в структуру шаруватих пакетів, а під час
електрохімічного втілення в матричні шари відбуваються фазові переходи з до-
сягненням певних значень х. На початковій стадії молекули водню утворюють
“квазірідку” плівку у вигляді нанопояса у “Ван-дер-Ваальсовій щілині”, а спект-
ральна монолінія протонного магнетного резонансу (ПМР) має малу ширину.
Збільшення х до 5,16 супроводжується локалізацією водню (інтеркалянта) в по-
тенціальних ямах, які розміщені в центрах трикутників площин селену по обидва
боки “Ван-дер-Ваальсової щілини” (“квазірідка” плівка стає “в’язкішою”), що
призводить до розширення спектра ПМР, який унаслідок дрібних розщеплень
має складну структуру [9]. Деформаційні напруження, пов’язані із введенням
значної кількості інтеркальованого водню спричиняють інтенсивніше зростання
пружних сталих [8], які характеризують зв’язок між атомами водню в міжшаро-
вому просторі, порівняно з відповідними значеннями безпосередньо в матрич-
ному шарі [10]. Цей факт підтверджено зміщенням екситонного максимуму в ді-
лянку більших енергій на 7 meV в інтервалі концентрації водню 0... 0,4 та збіль-
шенням ширини забороненої зони (Eg) і енергії зв’язку екситона (Eex). Параметр
Eg змінюється внаслідок конкурентного внеску міжшарових деформацій та де-
формацій у межах шару, що мають різні знаки деформаційного потенціалу [10].
Дослідження методом ядерного магнетного резонансу (ЯМР) [9] в комплексі з
рентгеноструктурними свідчать про те, що за малих значень х ≤ 1 основний вне-
сок в ЯМР спектр дає смуга, пов’язана з молекулярним воднем, який знаходиться
в міжшаровому просторі. Багаторазові цикли інтеркалювання-деінтеркалювання
не знижують основних характеристик, а деінтеркаляція в них для значень х→4
може досягати 90% від кількості поглиненого водню. Таким чином, водень вхо-
дить одночасно як в шаровий, так і в міжшаровий простори кристала. Якщо х < 2,
він, в основному, розташований у міжшаровому просторі, що супроводжується
зростанням міжшарової відстані (та параметра кристалічної ґратки с). З подаль-
шим збільшенням концентрації х (аж до 5) він частково входить у шаровий прос-
тір, де діють сильні іонно-ковалентні зв’язки, що призводить до збільшення пара-
метра кристалічної ґратки а. Зауважимо, що електрохімічним інтеркалюванням у
кристали InSe і GaSe можна ввести йони s-елементів, а p- та d-елементи осаджу-
ються на поверхні. Під час інтеркалювання з водних розчинів важливе значення
потенціалу (ϕ) відновлення йонів водню. Для нейтральних розчинів (рН7) ϕ =
= –0,41 V і якщо катіоном розчину солі буде метал, стандартний електродний
потенціал якого значно позитивніший за –0,41 V, то на катоді виділиться метал
(наприклад, Ag, Cu, Tl, Co). Негативнішими стандартними електродними потен-
45
ціалами володіють s-елементи (наприклад, K, Ba, Ca, Na) і їх позитивні йони, на-
копичуючись у прикатодному просторі під дією зовнішнього електричного поля,
матимуть можливість втілюватись у міжшаровий простір кристалів моноселені-
дів галію та індію [11, 12].
Відомо, що використання водню як відновлюваного джерела енергії залежить
від ефективних способів контролю, зберігання і транспортування газоподібного
водню [13–17]. Проте ні один із застосовуваних сьогодні методів зберігання вод-
ню (під високим тиском, в рідкому стані, в абсорбованому при понижених тем-
пературах) не відповідає вимогам промисловості. Як перспективні матеріали, що
акумулюють водень, розглядають шаруваті наноструктури та системи [13–15]. Їх
ефективність залежить від оборотних процесів “інтеркаляції-деінтеркаляції”,
тобто сорбційно-десорбційних властивостей “Ван-дер-Ваальсової щілини”. Від-
значимо для порівняння, що сорбційна здатність застосовуваних вуглецевих на-
нотрубок або нанопоясів обумовлена ступенем заповнення (ηН) одношарової на-
нотрубки або нанопояса молекулярним воднем [17]:
H
H
H C
0,07
0,07 30,4 / D
ρ
η = ≈
ρ + ρ +
, (2)
де ρН = 0,07 g/cm3 – густина водню. За діаметра D = 1,5 nm максимальний ступінь
заповнення воднем ηН ≈ 3,3 mass.%. Ступеня заповнення ηН = 6,5 mass.%, досяга-
ють, застосовуючи нанотрубки або нанопояси розмірами більше 3 nm у молекуляр-
них контейнерах для зберігання водню. Пучок, складений із одношарових нанотру-
бок або нанопоясів, можна розглядати як окрему різновидність наноструктури, що
містить водень. Масова густина пучка (табл. 2), складеного з подібних нанострук-
тур, залежить від максимальної поверхневої густини водню (2,56 ⋅ 10–9 g/cm2) у
ньому та щільності укладення наноутворень. Заповнення простору між ними дає
відчутний результат.
Під час створення молеку-
лярних контейнерів, використо-
вуючи пучки одностінних нано-
структур перетином 1,2…1,5 nm
з відстанню між поверхнями на-
ноструктур ≈1 nm, можна досяг-
нути вмісту водню до 11...12 mass.%. Саме “квазірідкий” водень, який локалізу-
ється у “Ван-дер-Ваальсовій щілині”, здатний вступити в реакцію з нестехіомет-
ричним селеном (що вивільняється під час фазових переходів), утворюючи спо-
луку H2Se, яка в твердому стані має кубічну ґранецентровану ґратку з парамет-
ром а = 0,6024 nm (H2Se має Тliquid = 207 K, Тwapor = 235 K (ρ = 2,12 g/cm3 (рідини) і
2,46 (твердого тіла), теплота утворення (–ΔН298) – 18,05… 20,50 kkal/mol 18,44…
18,65)) [18], що додатково підвищить ступінь заповнення молекулярних контей-
нерів водневовмісним середовищем за низьких температур.
ВИСНОВКИ
Абсолютні значення границі міцності кристалів GaSe і InSe, зорієнтованих
перпендикулярно до осі с (у напрямку Ван-дер-Ваальсових зв’язків), менші, ніж
скерованих паралельно до шарів кристала, а уведений водень (у кількості від 108
до 120 wppm) посилює цю відмінність до 30%. Водень входить у міжшаровий
простір і в матричні шари кристалів моноселенідів галію та індію. Якщо х < 2,
він, в основному, розташований у міжшаровому просторі, що супроводжується
зростанням міжшарової відстані (та параметра кристалічної ґратки с). З подаль-
шим збільшенням концентрації х (аж до 5) він частково входить у матричні шари,
де діють сильні іонно-ковалентні зв’язки, через що збільшується параметр крис-
талічної ґратки а.
Таблиця 2. Масова ємність водню в пучку
нанотрубок різного діаметра [17]
Діаметр, nm 0,5 1 1,5 2 2,5 3
ηН, % 3,4 4,4 5,4 6,5 7,6 8,6
46
РЕЗЮМЕ. Водород усиливает анизотропию свойств (в т.ч. механических) слоистых
кристаллов моноселенидов галлия та индия. Интеркалированный в межслоевое простран-
ство этих соединений он пребывает в молекулярном состоянии, занимая трансляционно-
упорядоченные места. Превышение определенной концентрации водорода сопровождает-
ся вхождением в матричные слои кристаллов ионов водорода.
SUMMARY. Hydrogen enhances the anisotrophy of the properties (including mechanical
ones) of gallium and indium monoselenide layered crystals. Due to intensive intercalation
between layers of crystals a hydrogen is in a molecular state, occupying the translation-ordered
position. An increase of a definite concentration of hydrogen is accompained by hydrogen ions
penetration into the matrix layers of crystals.
1. Балицький О. О., Грищенко С. А. Електрохімічні властивості шаруватих сполук GaSe
// Наносистемы, наноматериалы, нанотехнологии. – 2009. – 7, Вып. 1. – С. 177–184.
2. Процессы деинтеркаляции водорода в интеркаляционных наносистемах на основе
слоистых дисульфидов вольфрама и молибдена /Л. М. Куликов, Н. Б. Кёниг, Н. В. Шев-
чук и др. // Там же. – 2009. – 7, Вып. 1. – С. 279–288.
3. Properties of Hydrogenated GaSe Crystals / V. M. Kaminskii, Z. D. Kovalyuk, M. N. Pyrlya
et al. // Inorganic Materials. – 2005. – 41, № 8. – P. 793–795.
4. Balyts’kyi O. O. Degradation and fracture of crystals of gallium and indium selenides // Mat.
Sci. – 2003. – 39, № 4. – P. 561–565.
5. Балицький О. Фазові перетворення при термічному окисленні сплавів GaхSe1–х (0,47 ≤
≤ х ≤ 0,53) // Вісник Львівськ. ун-ту. – 1999. – Вип. 32. – C. 22–27.
6. Optical Investigation of hydrogen intercalation-deintercalation processes in layered semi-
conductor γ-InSe crystals / Yu. I. Zhirko, Z. D. Kovalyuk, M. M. Pyrlja, and V. B. Bo-
ledzyuk // Hydrogen Materials Science and Chemistry of Carbon Nanomaterials (NATO
Science Series, II Mathematics, Physics and Chemistry). – 2004. – 172. – P. 519–530.
7. Получение и свойства интеркалированных водородом моноселенидов индия и галлия
/ И. Д. Козьмик, З. Д. Ковалюк, И. И. Григорчак, Б. П. Бахматюк // Неорг. мат. – 1987.
– 23, Вып. 5. – C.754–757.
8. Balyts’kyi O. O. Elastic characteristics of laminated galium and indium chalcogenides // Mat.
Sci. – 2004. – 40, № 5. – P. 706–709.
9. Исследование состояния примеси в водородных интеркалатах селенида галлия мето-
дом ЯМР / З. Д. Ковалюк, Т. П. Прокипчук, А. И. Середюк, К. Д. Товстюк // Физика
твердого тела. – 1987. – 29, Вып. 7. – C. 2191–2193.
10. Ковалюк З. Д., Пирля М. М., Боледзюк В. Б. Вплив водню на оптичні властивості GaSe
// Журнал фізичних досліджень. – 2002. – 6, № 2. – С. 185–187.
11. Григорчак И. И., Ковалюк З. Д., Юрценюк С. П. Получение и свойства интеркалирован-
ных слоистых соединений типа АІІІВVI // Неорг. мат. – 1981. – 17, Вып. 3. – С. 412–415.
12. Дмитриев А. И., Лашкарев Г. В., Ковалюк З. Д. Формирование наноразмерных масси-
вов квантовых точек с заданной топографией и регулируемой плотностью на поверх-
ности монокристаллов InSe и GaSe // Наносистемы, наноматериалы, нанотехнологии.
– 2006. – 4, Вып. 2. – С. 407–412.
13. Бокріс Д., Везіроглу Неджат Т., Сміт Д. Сонячно-воднева енергетика. – К.: Ін-т
проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича, 2006. – 154 с.
14. Peierls distortion as a route to high thermoelectric performance in In4Se3–δ / R. Jong-Soo,
L. K. Hyoung, L. S. Mock et al. // Nature. – 2009. – 459. – P. 965–968.
15. Ubbelohde A. R. Anisotropy of synthetic metals // Ibid. – 1971. – 232. – P. 43–44.
16. Chen X.-B. and D.F. Kelley Photophysics of GaSe/InSe nanoparticle heterojunctions
// J. Phys. Chem. B. – 2006. – 110. – P. 25259–25265.
17. Колешко В. М., Таратын И. А., Сергейченко А. В. Микросенсоры контроля водорода
для водородного транспорта // Теор. и прикл. механика. – 2006. – № 20. – С. 196–197.
18. Vegard L. and Sinding-Oseroerd L. Der isotopeneffect beim austausch von wasserstoff
durch deuterium in festem schwefwl- und selen-wasserstoff // Avhandinger utgitt av det
norske videnskaps-akademi i Oslo. – Klasse: Mat.-Naturvidensk, 1942. – № 7. – 19 s.
Одержано 30.04.2010
|