The influence of thermal conditions on perfection in GaₓIn₁-ₓSb single crystals
The influence of the temperature gradient on the appearance of macro-cracks in growing GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czocralski method is shown. The decrease of axial temperature gradient dT/dz to 15 K/cm and radial dT/dx to 5 K/cm has allowed obtaining the single crystals without the cracks. T...
Збережено в:
Дата: | 2005 |
---|---|
Автори: | Kushnarev, A.V., Kozhemyakin, G.N. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
Назва видання: | Functional Materials |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/137743 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | The influence of thermal conditions on perfection in GaₓIn₁-ₓSb single crystals / A.V. Kushnarev, G.N. Kozhemyakin // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 401-404. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Influence of ultrasound on the growth striations in GaₓIn₁₋ₓSb single crystals
за авторством: Zolkina, L.V., та інші
Опубліковано: (2005) -
Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique
за авторством: Kozhemyakin, G.N., та інші
Опубліковано: (2005) -
Growth conditions influence on thermally stimulated luminescence of sapphire single crystals
за авторством: Blonskyy, I.V., та інші
Опубліковано: (2002) -
Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals
за авторством: Prokopenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2000) -
Structure perfection of bulk and near-surface layers in sapphire single crystals
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2007)