Kotlyarevsky, M., Rogozin, I., & Marakhovsky, O. (2005). Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements. НТК «Інститут монокристалів» НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Kotlyarevsky, M.B, I.V Rogozin, und O.V Marakhovsky. Photoluminescence and Electrophysical Properties of P-type ZnO Layers Implanted with V Group Elements. НТК «Інститут монокристалів» НАН України, 2005.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Kotlyarevsky, M.B, et al. Photoluminescence and Electrophysical Properties of P-type ZnO Layers Implanted with V Group Elements. НТК «Інститут монокристалів» НАН України, 2005.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.