Electroplastic effect associated with the dislocation generation in the initially dislocation-free silicon filamentary crystals
Experiments on local high-intensity electric current pulse action on mechanical properties of a Si filamentary crystal made it possible to reveal a novel type of electroplastic effect associated with the generation of dislocations.
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139568 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Electroplastic effect associated with the dislocation generation in the initially dislocation-free silicon filamentary crystals / A.P. Ermakov, B.M. Darinsky, A.I. Drozhzhin // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 4. — С. 746-750. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |